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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleSTFI20NM65N
STMicroelectronics
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

STFI20NM65N - STMicroelectronics

Fabricant Modèle de produit
STFI20NM65N
Fabricant
STMicroelectronics
Allelco Modèle de produit
32D-STFI20NM65N
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 650V 15A I2PAKFP
Description détaillée
Emballage
TO-262-3 Full Pack, I²Pak
Fiche technique
STFI20NM65N.pdf
État RoHS
En stock: 13783

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques STFI20NM65N
STMicroelectronics - STFI20NM65N Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à STMicroelectronics - STFI20NM65N

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant STMicroelectronics  
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±25V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur I2PAKFP (TO-281)  
Séries MDmesh™ II  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 270mOhm @ 7.5A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 30W (Tc)  
Package / Boîte TO-262-3 Full Pack, I²Pak  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement 150°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1280 pF @ 50 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 44 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 650 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 15A (Tc)  
Numéro de produit de base STFI20N  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de STMicroelectronics STFI20NM65N

Attributs du produit STFI20NM65N STFI13N95K3 STFI28N60M2 STFI4N62K3
Modèle de produit STFI20NM65N STFI13N95K3 STFI28N60M2 STFI4N62K3
Fabricant STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 15A (Tc) 10A (Tc) 22A (Tc) 3.8A (Tc)
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 44 nC @ 10 V 51 nC @ 10 V 36 nC @ 10 V 22 nC @ 10 V
Température de fonctionnement 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ)
Tension drain-source (Vdss) 650 V 950 V 600 V 620 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 270mOhm @ 7.5A, 10V 850mOhm @ 5A, 10V 150mOhm @ 11A, 10V 2Ohm @ 1.9A, 10V
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V 10V
Package composant fournisseur I2PAKFP (TO-281) I2PAKFP (TO-281) I2PAKFP (TO-281) I2PAKFP (TO-281)
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1280 pF @ 50 V 1620 pF @ 100 V 1440 pF @ 100 V 550 pF @ 50 V
Vgs (Max) ±25V ±30V ±25V ±30V
Fonction FET - - - -
Séries MDmesh™ II SuperMESH3™ MDmesh™ II Plus SuperMESH3™
Numéro de produit de base STFI20N STFI13N STFI28N STFI4N
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 5V @ 100µA 4V @ 250µA 4.5V @ 50µA
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Emballer Tube Tube Tube Tube
Dissipation de puissance (max) 30W (Tc) 40W (Tc) 30W (Tc) 25W (Tc)
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Type de montage Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Package / Boîte TO-262-3 Full Pack, I²Pak TO-262-3 Full Pack, I²Pak TO-262-3 Full Pack, I²Pak TO-262-3 Full Pack, I²Pak

Fiche technique STFI20NM65N PDF

Téléchargez STFI20NM65N PDF DataSheets et Documentation STMicroelectronics pour STFI20NM65N - STMicroelectronics.

PCN Obsolescence / EOL
STFIYYY 15/Dec/2017.pdf
Assemblage / origine PCN
IPD/15/9156 20/Mar/2015.pdf
Feuilles de données
STFI20NM65N.pdf

Mode de transport

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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