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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleSTFI10N65K3
STMicroelectronics
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

STFI10N65K3 - STMicroelectronics

Fabricant Modèle de produit
STFI10N65K3
Fabricant
STMicroelectronics
Allelco Modèle de produit
32D-STFI10N65K3
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 650V 10A I2PAKFP
Description détaillée
Emballage
TO-262-3 Full Pack, I²Pak
Fiche technique
STx(x)10N65K3.pdf
État RoHS
En stock: 26634

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques STFI10N65K3
STMicroelectronics - STFI10N65K3 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à STMicroelectronics - STFI10N65K3

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant STMicroelectronics  
Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 100µA  
Vgs (Max) ±30V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur I2PAKFP (TO-281)  
Séries SuperMESH3™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1Ohm @ 3.6A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 35W (Tc)  
Package / Boîte TO-262-3 Full Pack, I²Pak  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1180 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 42 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 650 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 10A (Tc)  
Numéro de produit de base STFI10N  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de STMicroelectronics STFI10N65K3

Attributs du produit STFI10N65K3 STF9NM60N STF9N80K5 STFH13N60M2
Modèle de produit STFI10N65K3 STF9NM60N STF9N80K5 STFH13N60M2
Fabricant STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics
Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 100µA 4V @ 250µA 5V @ 100µA 4V @ 250µA
Tension drain-source (Vdss) 650 V 600 V 800 V 600 V
Numéro de produit de base STFI10N STF9NM60 STF9N80 STFH13
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V 10V
Dissipation de puissance (max) 35W (Tc) 25W (Tc) 25W (Tc) 25W (Tc)
Séries SuperMESH3™ MDmesh™ II MDmesh™ MDmesh™
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1180 pF @ 25 V 452 pF @ 50 V 340 pF @ 100 V 580 pF @ 100 V
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 42 nC @ 10 V 17.4 nC @ 10 V 12 nC @ 10 V 17 nC @ 10 V
Package composant fournisseur I2PAKFP (TO-281) TO-220FP TO-220FP TO-220FP
Type de montage Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Package / Boîte TO-262-3 Full Pack, I²Pak TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack
Emballer Tube Tube Tube Tube
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1Ohm @ 3.6A, 10V 745mOhm @ 3.25A, 10V 900mOhm @ 3.5A, 10V 380mOhm @ 5.5A, 10V
Fonction FET - - - -
Vgs (Max) ±30V ±25V ±30V ±25V
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 10A (Tc) 6.5A (Tc) 7A (Tc) 11A (Tc)

Fiche technique STFI10N65K3 PDF

Téléchargez STFI10N65K3 PDF DataSheets et Documentation STMicroelectronics pour STFI10N65K3 - STMicroelectronics.

PCN Obsolescence / EOL
Multiple Devices 01/Aug/2014.pdf
Feuilles de données
STx(x)10N65K3.pdf

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
Référence des frais d'expédition DHL et FedEx
Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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