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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleSTFI13N95K3
STMicroelectronics
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

STFI13N95K3 - STMicroelectronics

Fabricant Modèle de produit
STFI13N95K3
Fabricant
STMicroelectronics
Allelco Modèle de produit
32D-STFI13N95K3
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N CH 950V 10A I2PAKFP
Description détaillée
Emballage
TO-262-3 Full Pack, I²Pak
Fiche technique
STx(I)13N95K3.pdf
État RoHS
En stock: 8231

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques STFI13N95K3
STMicroelectronics - STFI13N95K3 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à STMicroelectronics - STFI13N95K3

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant STMicroelectronics  
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 100µA  
Vgs (Max) ±30V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur I2PAKFP (TO-281)  
Séries SuperMESH3™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 850mOhm @ 5A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 40W (Tc)  
Package / Boîte TO-262-3 Full Pack, I²Pak  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1620 pF @ 100 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 51 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 950 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 10A (Tc)  
Numéro de produit de base STFI13N  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de STMicroelectronics STFI13N95K3

Attributs du produit STFI13N95K3 STF9NM60N STFI11N65M2 STF9NK90Z
Modèle de produit STFI13N95K3 STF9NM60N STFI11N65M2 STF9NK90Z
Fabricant STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Package composant fournisseur I2PAKFP (TO-281) TO-220FP I2PAKFP (TO-281) TO-220FP
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Dissipation de puissance (max) 40W (Tc) 25W (Tc) 25W (Tc) 40W (Tc)
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 100µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4.5V @ 100µA
Vgs (Max) ±30V ±25V ±25V ±30V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 51 nC @ 10 V 17.4 nC @ 10 V 12.5 nC @ 10 V 72 nC @ 10 V
Package / Boîte TO-262-3 Full Pack, I²Pak TO-220-3 Full Pack TO-262-3 Full Pack, I²Pak TO-220-3 Full Pack
Rds On (Max) @ Id, Vgs 850mOhm @ 5A, 10V 745mOhm @ 3.25A, 10V 670mOhm @ 3.5A, 10V 1.3Ohm @ 3.6A, 10V
Emballer Tube Tube Tube Tube
Tension drain-source (Vdss) 950 V 600 V 650 V 900 V
Numéro de produit de base STFI13N STF9NM60 STFI11N STF9NK90
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 10A (Tc) 6.5A (Tc) 7A (Tc) 8A (Tc)
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1620 pF @ 100 V 452 pF @ 50 V 410 pF @ 100 V 2115 pF @ 25 V
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V 10V
Séries SuperMESH3™ MDmesh™ II MDmesh™ II Plus SuperMESH™
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Fonction FET - - - -

Fiche technique STFI13N95K3 PDF

Téléchargez STFI13N95K3 PDF DataSheets et Documentation STMicroelectronics pour STFI13N95K3 - STMicroelectronics.

PCN Obsolescence / EOL
Multiple Devices 01/Aug/2014.pdf
Feuilles de données
STx(I)13N95K3.pdf

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
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Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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