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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleSTF16N65M2
STF16N65M2 Image
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STF16N65M2 - STMicroelectronics

Fabricant Modèle de produit
STF16N65M2
Fabricant
STMicroelectronics
Allelco Modèle de produit
32D-STF16N65M2
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 650V 11A TO220FP
Emballage
TO-220-3 Full Pack
Fiche technique
STF16N65M2.pdf
État RoHS
Notre certification
En stock: 34341

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Quantité
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Notre certification

Spécifications

Spécifications techniques STF16N65M2
STMicroelectronics - STF16N65M2 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à STMicroelectronics - STF16N65M2

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant STMicroelectronics  
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±25V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TO-220FP  
Séries MDmesh™ M2  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 360mOhm @ 5.5A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 25W (Tc)  
Package / Boîte TO-220-3 Full Pack  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 718 pF @ 100 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 19.5 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 650 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 11A (Tc)  
Numéro de produit de base STF16  

Classifications environnementales et d'exportation

ATTRIBUT LA DESCRIPTION
État RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Statut de portée REACH Unaffected
ECCN EAR99
HTSUS

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de STMicroelectronics STF16N65M2

Attributs du produit STF16N65M2 STF16N50M2 STF15NM65N STF16NF25
Modèle de produit STF16N65M2 STF16N50M2 STF15NM65N STF16NF25
Fabricant STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics
Rds On (Max) @ Id, Vgs 360mOhm @ 5.5A, 10V 280mOhm @ 6.5A, 10V 380mOhm @ 6A, 10V 235mOhm @ 6.5A, 10V
Séries MDmesh™ M2 MDmesh™ MDmesh™ II STripFET™ II
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Dissipation de puissance (max) 25W (Tc) 25W (Tc) 30W (Tc) 25W (Tc)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V 10V
Fonction FET - - - -
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 11A (Tc) 13A (Tc) 12A (Tc) 14A (Tc)
Type de montage Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA
Package / Boîte TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack
Vgs (Max) ±25V ±25V ±25V ±20V
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Tension drain-source (Vdss) 650 V 500 V 650 V 250 V
Package composant fournisseur TO-220FP TO-220 Full Pack TO-220FP TO-220FP
Numéro de produit de base STF16 STF16 STF15 STF16
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 718 pF @ 100 V 710 pF @ 100 V 983 pF @ 50 V 680 pF @ 25 V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 19.5 nC @ 10 V 19.5 nC @ 10 V 33.3 nC @ 10 V 18 nC @ 10 V
Emballer Tube Tube Tube Tube

Fiche technique STF16N65M2 PDF

Téléchargez STF16N65M2 PDF DataSheets et Documentation STMicroelectronics pour STF16N65M2 - STMicroelectronics.

Assemblage / origine PCN
Mult Dev Wafer Site Add 3/Aug/2018.pdf
Feuilles de données
STF16N65M2.pdf

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
Référence des frais d'expédition DHL et FedEx
Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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STF16N65M2

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