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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleSTD6N90K5
STD6N90K5 Image
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STD6N90K5 - STMicroelectronics

Fabricant Modèle de produit
STD6N90K5
Fabricant
STMicroelectronics
Allelco Modèle de produit
32D-STD6N90K5
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 900V 6A DPAK
Emballage
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Fiche technique
STD6N90K5.pdf
État RoHS
Notre certification
En stock: 37106

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Quantité
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Notre certification

Spécifications

Spécifications techniques STD6N90K5
STMicroelectronics - STD6N90K5 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à STMicroelectronics - STD6N90K5

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant STMicroelectronics  
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 100µA  
Vgs (Max) ±30V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur DPAK  
Séries MDmesh™ K5  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.1Ohm @ 3A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 110W (Tc)  
Package / Boîte TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 900 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 6A (Tc)  
Numéro de produit de base STD6N90  

Classifications environnementales et d'exportation

ATTRIBUT LA DESCRIPTION
État RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Statut de portée REACH Unaffected
ECCN EAR99
HTSUS

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de STMicroelectronics STD6N90K5

Attributs du produit STD6N90K5 STD6N52K3 STD6N62K3 STD6N60DM2
Modèle de produit STD6N90K5 STD6N52K3 STD6N62K3 STD6N60DM2
Fabricant STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 100µA 4.5V @ 100µA 4.5V @ 50µA 4.75V @ 250µA
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Tension drain-source (Vdss) 900 V 525 V 620 V 600 V
Package composant fournisseur DPAK DPAK DPAK D-PAK (TO-252)
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Fonction FET - - - -
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 6A (Tc) 5A (Tc) 5.5A (Tc) 5A (Tc)
Dissipation de puissance (max) 110W (Tc) 70W (Tc) 90W (Tc) 60W (Tc)
Numéro de produit de base STD6N90 STD6 STD6 STD6N60
Séries MDmesh™ K5 SuperMESH3™ SuperMESH3™ MDmesh™ DM2
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.1Ohm @ 3A, 10V 1.2Ohm @ 2.5A, 10V 1.28Ohm @ 2.8A, 10V 1.1Ohm @ 2.5A, 10V
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Vgs (Max) ±30V ±30V ±30V ±25V
Package / Boîte TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Fiche technique STD6N90K5 PDF

Téléchargez STD6N90K5 PDF DataSheets et Documentation STMicroelectronics pour STD6N90K5 - STMicroelectronics.

Feuilles de données
STD6N90K5.pdf
Conception / spécification PCN
New Lead Frame Design 17/Mar/2023.pdf

Mode de transport

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
Référence des frais d'expédition DHL et FedEx
Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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STD6N90K5

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32D-STD6N90K5

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