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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleSTD6N52K3
STD6N52K3 Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

STD6N52K3 - STMicroelectronics

Fabricant Modèle de produit
STD6N52K3
Fabricant
STMicroelectronics
Allelco Modèle de produit
32D-STD6N52K3
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 525V 5A DPAK
Description détaillée
Emballage
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Fiche technique
ST(B,D,F,P)6N52K3.pdf
État RoHS
En stock: 35200

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques STD6N52K3
STMicroelectronics - STD6N52K3 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à STMicroelectronics - STD6N52K3

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant STMicroelectronics  
Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 100µA  
Vgs (Max) ±30V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur DPAK  
Séries SuperMESH3™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.2Ohm @ 2.5A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 70W (Tc)  
Package / Boîte TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Température de fonctionnement 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 525 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 5A (Tc)  
Numéro de produit de base STD6  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de STMicroelectronics STD6N52K3

Attributs du produit STD6N52K3 STD6N60DM2 STD65NF06 STD6N95K5
Modèle de produit STD6N52K3 STD6N60DM2 STD65NF06 STD6N95K5
Fabricant STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics
Température de fonctionnement 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Tension drain-source (Vdss) 525 V 600 V 60 V 950 V
Vgs (Max) ±30V ±25V ±20V ±30V
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Fonction FET - - - -
Séries SuperMESH3™ MDmesh™ DM2 STripFET™ II SuperMESH5™
Numéro de produit de base STD6 STD6N60 STD65N STD6N95
Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 100µA 4.75V @ 250µA 4V @ 250µA 5V @ 100µA
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 5A (Tc) 5A (Tc) 60A (Tc) 9A (Tc)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V 10V
Package composant fournisseur DPAK D-PAK (TO-252) DPAK DPAK
Dissipation de puissance (max) 70W (Tc) 60W (Tc) 110W (Tc) 90W (Tc)
Package / Boîte TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.2Ohm @ 2.5A, 10V 1.1Ohm @ 2.5A, 10V 14mOhm @ 30A, 10V 1.25Ohm @ 3A, 10V

Fiche technique STD6N52K3 PDF

Téléchargez STD6N52K3 PDF DataSheets et Documentation STMicroelectronics pour STD6N52K3 - STMicroelectronics.

Emballage PCN
Reel Design Change 22/Aug/2022.pdf
Assemblage / origine PCN
IPG-PWR/14/8552 23/Jun/2014.pdf
Feuilles de données
ST(B,D,F,P)6N52K3.pdf

Mode de transport

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
Référence des frais d'expédition DHL et FedEx
Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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STD6N52K3

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32D-STD6N52K3

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