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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleSTD6NF10T4
STD6NF10T4 Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

STD6NF10T4 - STMicroelectronics

Fabricant Modèle de produit
STD6NF10T4
Fabricant
STMicroelectronics
Allelco Modèle de produit
32D-STD6NF10T4
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 100V 6A DPAK
Description détaillée
Emballage
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Fiche technique
ST(D,U)6NF10.pdf
État RoHS
En stock: 71320

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques STD6NF10T4
STMicroelectronics - STD6NF10T4 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à STMicroelectronics - STD6NF10T4

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant STMicroelectronics  
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur DPAK  
Séries STripFET™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 250mOhm @ 3A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 30W (Tc)  
Package / Boîte TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -65°C ~ 175°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 280 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 14 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 100 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 6A (Tc)  
Numéro de produit de base STD6NF10  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de STMicroelectronics STD6NF10T4

Attributs du produit STD6NF10T4 STD6N80K5 STD6NM60N STD6NM60N-1
Modèle de produit STD6NF10T4 STD6N80K5 STD6NM60N STD6NM60N-1
Fabricant STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 5V @ 100µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA
Séries STripFET™ SuperMESH5™ MDmesh™ II MDmesh™ II
Numéro de produit de base STD6NF10 STD6N80 STD6N STD6N
Température de fonctionnement -65°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs (Max) ±20V 30V ±25V ±25V
Fonction FET - - - -
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 6A (Tc) 4.5A (Tc) 4.6A (Tc) 4.6A (Tc)
Package composant fournisseur DPAK DPAK DPAK TO-251 (IPAK)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V 10V
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 250mOhm @ 3A, 10V 1.6Ohm @ 2A, 10V 920mOhm @ 2.3A, 10V 920mOhm @ 2.3A, 10V
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Through Hole
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 280 pF @ 25 V 255 pF @ 100 V 420 pF @ 50 V 420 pF @ 50 V
Package / Boîte TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 14 nC @ 10 V 7.5 nC @ 10 V 13 nC @ 10 V 13 nC @ 10 V
Dissipation de puissance (max) 30W (Tc) 85W (Tc) 45W (Tc) 45W (Tc)
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tube
Tension drain-source (Vdss) 100 V 800 V 600 V 600 V

Fiche technique STD6NF10T4 PDF

Téléchargez STD6NF10T4 PDF DataSheets et Documentation STMicroelectronics pour STD6NF10T4 - STMicroelectronics.

Emballage PCN
Box Label Chg 28/Jul/2016.pdf Mult Dev Inner Box Chg 9/Dec/2021.pdf
Assemblage / origine PCN
Mult Dev Assembly Chg 18/Oct/2019.pdf
Feuilles de données
ST(D,U)6NF10.pdf

Mode de transport

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Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
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Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
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Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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STD6NF10T4

STMicroelectronics
32D-STD6NF10T4

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