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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleSTD52P3LLH6
STD52P3LLH6 Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

STD52P3LLH6 - STMicroelectronics

Fabricant Modèle de produit
STD52P3LLH6
Fabricant
STMicroelectronics
Allelco Modèle de produit
32D-STD52P3LLH6
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET P-CH 30V 52A DPAK
Description détaillée
Emballage
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Fiche technique
STD52P3LLH6.pdf
État RoHS
En stock: 47570

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques STD52P3LLH6
STMicroelectronics - STD52P3LLH6 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à STMicroelectronics - STD52P3LLH6

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant STMicroelectronics  
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur DPAK  
Séries STripFET™ H6  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 12mOhm @ 26A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 70W (Tc)  
Package / Boîte TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement 175°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 3350 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 33 nC @ 4.5 V  
type de FET P-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V  
Tension drain-source (Vdss) 30 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 52A (Tc)  
Numéro de produit de base STD52  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de STMicroelectronics STD52P3LLH6

Attributs du produit STD52P3LLH6 STD50N03L STD5407NT4G STD50NH02L-1
Modèle de produit STD52P3LLH6 STD50N03L STD5407NT4G STD50NH02L-1
Fabricant STMicroelectronics STMicroelectronics onsemi STMicroelectronics
Package / Boîte TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Tension drain-source (Vdss) 30 V 30 V 40 V 24 V
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Through Hole
Fonction FET - - - -
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA 1V @ 250µA 3.5V @ 250µA 1.8V @ 250µA
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V 5V, 10V 5V, 10V 5V, 10V
Température de fonctionnement 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 33 nC @ 4.5 V 14 nC @ 5 V 20 nC @ 10 V 24 nC @ 10 V
Numéro de produit de base STD52 STD50N - STD50N
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 3350 pF @ 25 V 1434 pF @ 25 V 1000 pF @ 32 V 1400 pF @ 25 V
Package composant fournisseur DPAK DPAK DPAK TO-251 (IPAK)
Séries STripFET™ H6 STripFET™ III - STripFET™ III
Rds On (Max) @ Id, Vgs 12mOhm @ 26A, 10V 10.5mOhm @ 20A, 10V 26mOhm @ 20A, 10V 10.5mOhm @ 25A, 10V
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 52A (Tc) 40A (Tc) 7.6A (Ta), 38A (Tc) 50A (Tc)
Dissipation de puissance (max) 70W (Tc) 60W (Tc) 2.9W (Ta), 75W (Tc) 60W (Tc)
type de FET P-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Bulk Tube
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)

Fiche technique STD52P3LLH6 PDF

Téléchargez STD52P3LLH6 PDF DataSheets et Documentation STMicroelectronics pour STD52P3LLH6 - STMicroelectronics.

Emballage PCN
Mult Dev Inner Box Chg 9/Dec/2021.pdf
Feuilles de données
STD52P3LLH6.pdf

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Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
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Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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STD52P3LLH6

STMicroelectronics
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