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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleSTD50NH02L-1
STD50NH02L-1 Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

STD50NH02L-1 - STMicroelectronics

Fabricant Modèle de produit
STD50NH02L-1
Fabricant
STMicroelectronics
Allelco Modèle de produit
32D-STD50NH02L-1
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 24V 50A I-PAK
Description détaillée
Emballage
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Fiche technique
STD50NH02L-1.pdf
État RoHS
En stock: 4290

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques STD50NH02L-1
STMicroelectronics - STD50NH02L-1 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à STMicroelectronics - STD50NH02L-1

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant STMicroelectronics  
Vgs (th) (Max) @ Id 1.8V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TO-251 (IPAK)  
Séries STripFET™ III  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 10.5mOhm @ 25A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 60W (Tc)  
Package / Boîte TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1400 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 24 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 5V, 10V  
Tension drain-source (Vdss) 24 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 50A (Tc)  
Numéro de produit de base STD50N  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de STMicroelectronics STD50NH02L-1

Attributs du produit STD50NH02L-1 STD4NS25T4 STD4NK80ZT4 STD50N03L
Modèle de produit STD50NH02L-1 STD4NS25T4 STD4NK80ZT4 STD50N03L
Fabricant STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V ±20V ±30V ±20V
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1400 pF @ 25 V 355 pF @ 25 V 575 pF @ 25 V 1434 pF @ 25 V
Dissipation de puissance (max) 60W (Tc) 50W (Tc) 80W (Tc) 60W (Tc)
Fonction FET - - - -
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 5V, 10V 10V 10V 5V, 10V
Séries STripFET™ III MESH OVERLAY™ SuperMESH™ STripFET™ III
Package composant fournisseur TO-251 (IPAK) DPAK DPAK DPAK
Rds On (Max) @ Id, Vgs 10.5mOhm @ 25A, 10V 1.1Ohm @ 2A, 10V 3.5Ohm @ 1.5A, 10V 10.5mOhm @ 20A, 10V
Package / Boîte TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Emballer Tube Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Vgs (th) (Max) @ Id 1.8V @ 250µA 4V @ 250µA 4.5V @ 50µA 1V @ 250µA
Tension drain-source (Vdss) 24 V 250 V 800 V 30 V
Type de montage Through Hole Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 24 nC @ 10 V 27 nC @ 10 V 22.5 nC @ 10 V 14 nC @ 5 V
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 50A (Tc) 4A (Tc) 3A (Tc) 40A (Tc)
Numéro de produit de base STD50N STD4N STD4NK80 STD50N

Mode de transport

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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STD50NH02L-1

STMicroelectronics
32D-STD50NH02L-1

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