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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleSTD5406NT4G-VF01
STD5406NT4G-VF01 Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

STD5406NT4G-VF01 - onsemi

Fabricant Modèle de produit
STD5406NT4G-VF01
Fabricant
onsemi
Allelco Modèle de produit
32D-STD5406NT4G-VF01
Modèle ECAD
Description des pièces
NFET DPAK 40V SPCL TR
Description détaillée
Emballage
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Fiche technique
NTD5406N, STD5406N.pdf
État RoHS
En stock: 61320

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques STD5406NT4G-VF01
onsemi - STD5406NT4G-VF01 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à onsemi - STD5406NT4G-VF01

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant onsemi  
Vgs (th) (Max) @ Id 3.5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur DPAK  
Séries Automotive, AEC-Q101  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 10mOhm @ 30A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 3W (Ta), 100W (Tc)  
Package / Boîte TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 2500 pF @ 32 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 45 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 5V, 10V  
Tension drain-source (Vdss) 40 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 12.2A (Ta), 70A (Tc)  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de onsemi STD5406NT4G-VF01

Attributs du produit STD5406NT4G-VF01 STD5406NT4G STD52P3LLH6 STD50N03L
Modèle de produit STD5406NT4G-VF01 STD5406NT4G STD52P3LLH6 STD50N03L
Fabricant onsemi onsemi STMicroelectronics STMicroelectronics
type de FET N-Channel N-Channel P-Channel N-Channel
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 45 nC @ 10 V 45 nC @ 10 V 33 nC @ 4.5 V 14 nC @ 5 V
Package / Boîte TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 12.2A (Ta), 70A (Tc) 12.2A (Ta), 70A (Tc) 52A (Tc) 40A (Tc)
Vgs (th) (Max) @ Id 3.5V @ 250µA 3.5V @ 250µA 2.5V @ 250µA 1V @ 250µA
Tension drain-source (Vdss) 40 V 40 V 30 V 30 V
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 5V, 10V 5V, 10V 4.5V, 10V 5V, 10V
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Package composant fournisseur DPAK DPAK DPAK DPAK
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 10mOhm @ 30A, 10V 10mOhm @ 30A, 10V 12mOhm @ 26A, 10V 10.5mOhm @ 20A, 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 2500 pF @ 32 V 2500 pF @ 32 V 3350 pF @ 25 V 1434 pF @ 25 V
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Dissipation de puissance (max) 3W (Ta), 100W (Tc) 3W (Ta), 100W (Tc) 70W (Tc) 60W (Tc)
Fonction FET - - - -
Séries Automotive, AEC-Q101 - STripFET™ H6 STripFET™ III

Fiche technique STD5406NT4G-VF01 PDF

Téléchargez STD5406NT4G-VF01 PDF DataSheets et Documentation onsemi pour STD5406NT4G-VF01 - onsemi.

Feuilles de données
NTD5406N, STD5406N.pdf

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
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Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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STD5406NT4G-VF01

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