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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - bipolaires (BJT) - SingleMJD112T4
MJD112T4 Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

MJD112T4 - STMicroelectronics

Fabricant Modèle de produit
MJD112T4
Fabricant
STMicroelectronics
Allelco Modèle de produit
32D-MJD112T4
Modèle ECAD
Description des pièces
TRANS NPN DARL 100V 2A DPAK
Description détaillée
Emballage
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Fiche technique
MJD11x.pdf
État RoHS
En stock: 126820

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques MJD112T4
STMicroelectronics - MJD112T4 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à STMicroelectronics - MJD112T4

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant STMicroelectronics  
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) 100 V  
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 3V @ 40mA, 4A  
Transistor Type NPN - Darlington  
Package composant fournisseur DPAK  
Séries -  
Puissance - Max 20 W  
Package / Boîte TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Température de fonctionnement 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Fréquence - Transition 25MHz  
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 1000 @ 2A, 3V  
Courant - Collecteur Cutoff (Max) 20µA  
Courant - Collecteur (Ic) (max) 2 A  
Numéro de produit de base MJD112  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de STMicroelectronics MJD112T4

Attributs du produit MJD112T4 MJD112-1G MJD112TF MJD112G
Modèle de produit MJD112T4 MJD112-1G MJD112TF MJD112G
Fabricant STMicroelectronics onsemi Fairchild Semiconductor onsemi
Séries - - - -
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 3V @ 40mA, 4A 3V @ 40mA, 4A 3V @ 40mA, 4A 3V @ 40mA, 4A
Courant - Collecteur (Ic) (max) 2 A 2 A 2 A 2 A
Numéro de produit de base MJD112 MJD112 MJD11 MJD112
Transistor Type NPN - Darlington NPN - Darlington NPN - Darlington NPN - Darlington
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) 100 V 100 V 100 V 100 V
Température de fonctionnement 150°C (TJ) -65°C ~ 150°C (TJ) 150°C (TJ) -65°C ~ 150°C (TJ)
Emballer Tape & Reel (TR) Tube Bulk Tube
Fréquence - Transition 25MHz 25MHz 25MHz 25MHz
Courant - Collecteur Cutoff (Max) 20µA 20µA 20µA 20µA
Package / Boîte TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 1000 @ 2A, 3V 1000 @ 2A, 3V 1000 @ 2A, 3V 1000 @ 2A, 3V
Package composant fournisseur DPAK I-PAK D-Pak DPAK
Puissance - Max 20 W 1.75 W 1.75 W 1.75 W
Type de montage Surface Mount Through Hole Surface Mount Surface Mount

Fiche technique MJD112T4 PDF

Téléchargez MJD112T4 PDF DataSheets et Documentation STMicroelectronics pour MJD112T4 - STMicroelectronics.

Assemblage / origine PCN
Mult Devices 27/Feb/2019.pdf
Feuilles de données
MJD11x.pdf

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
Référence des frais d'expédition DHL et FedEx
Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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MJD112T4

STMicroelectronics
32D-MJD112T4

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