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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - bipolaires (BJT) - SingleMJD117-1G
MJD117-1G Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

MJD117-1G - onsemi

Fabricant Modèle de produit
MJD117-1G
Fabricant
onsemi
Allelco Modèle de produit
32D-MJD117-1G
Modèle ECAD
Description des pièces
TRANS PNP DARL 100V 2A IPAK
Description détaillée
Emballage
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Fiche technique
MJD112,117.pdf
État RoHS
En stock: 34590

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques MJD117-1G
onsemi - MJD117-1G Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à onsemi - MJD117-1G

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant onsemi  
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) 100 V  
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 3V @ 40mA, 4A  
Transistor Type PNP - Darlington  
Package composant fournisseur I-PAK  
Séries -  
Puissance - Max 1.75 W  
Package / Boîte TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Emballer Tube  
Température de fonctionnement -65°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Fréquence - Transition 25MHz  
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 1000 @ 2A, 3V  
Courant - Collecteur Cutoff (Max) 20µA  
Courant - Collecteur (Ic) (max) 2 A  
Numéro de produit de base MJD117  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de onsemi MJD117-1G

Attributs du produit MJD117-1G MJD117-TP MJD112TF MJD117T4
Modèle de produit MJD117-1G MJD117-TP MJD112TF MJD117T4
Fabricant onsemi Micro Commercial Co Fairchild Semiconductor onsemi
Package / Boîte TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Numéro de produit de base MJD117 MJD117 MJD11 MJD11
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) 100 V 100 V 100 V 100 V
Courant - Collecteur Cutoff (Max) 20µA 10nA 20µA 20µA
Transistor Type PNP - Darlington PNP NPN - Darlington PNP - Darlington
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 3V @ 40mA, 4A 3V @ 40mA, 4A 3V @ 40mA, 4A 2V @ 8mA, 2A
Type de montage Through Hole Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Température de fonctionnement -65°C ~ 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ) -65°C ~ 150°C (TJ)
Package composant fournisseur I-PAK D-Pak D-Pak DPAK
Fréquence - Transition 25MHz 25MHz 25MHz 25MHz
Puissance - Max 1.75 W 1.75 W 1.75 W 20 W
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 1000 @ 2A, 3V 1000 @ 2A, 3V 1000 @ 2A, 3V 1000 @ 2A, 3V
Séries - - - -
Emballer Tube Tape & Reel (TR) Bulk Cut Tape (CT)
Courant - Collecteur (Ic) (max) 2 A 2 A 2 A 2 A

Fiche technique MJD117-1G PDF

Téléchargez MJD117-1G PDF DataSheets et Documentation onsemi pour MJD117-1G - onsemi.

Informations environnementales
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
PCN Obsolescence / EOL
Obsolete Notice 15/Dec/2022.pdf
Feuilles de données
MJD112,117.pdf
Assemblage / origine PCN
Mult Devices 29/Aug/2017.pdf

Mode de transport

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
Référence des frais d'expédition DHL et FedEx
Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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