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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - bipolaires (BJT) - SingleMJD112TF
Fairchild Semiconductor
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

MJD112TF - Fairchild Semiconductor

Fabricant Modèle de produit
MJD112TF
Fabricant
Fairchild (onsemi)
Allelco Modèle de produit
32D-MJD112TF
Modèle ECAD
Description des pièces
TRANS NPN DARL 100V 2A DPAK
Description détaillée
Emballage
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Fiche technique
MJD112TF.pdf
État RoHS
En stock: 5360

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques MJD112TF
Fairchild Semiconductor - MJD112TF Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Fairchild Semiconductor - MJD112TF

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Fairchild (onsemi)  
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) 100 V  
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 3V @ 40mA, 4A  
Transistor Type NPN - Darlington  
Package composant fournisseur D-Pak  
Séries -  
Puissance - Max 1.75 W  
Package / Boîte TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Emballer Bulk  
Température de fonctionnement 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Fréquence - Transition 25MHz  
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 1000 @ 2A, 3V  
Courant - Collecteur Cutoff (Max) 20µA  
Courant - Collecteur (Ic) (max) 2 A  
Numéro de produit de base MJD11  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Fairchild Semiconductor MJD112TF

Attributs du produit MJD112TF MJD112T4G MJD117G MJD112T4
Modèle de produit MJD112TF MJD112T4G MJD117G MJD112T4
Fabricant Fairchild Semiconductor onsemi onsemi onsemi
Température de fonctionnement 150°C (TJ) -65°C ~ 150°C (TJ) -65°C ~ 150°C (TJ) -65°C ~ 150°C (TJ)
Séries - - - -
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Emballer Bulk Tape & Reel (TR) Tube Cut Tape (CT)
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 1000 @ 2A, 3V 1000 @ 2A, 3V 1000 @ 2A, 3V 1000 @ 2A, 3V
Courant - Collecteur (Ic) (max) 2 A 2 A 2 A 2 A
Puissance - Max 1.75 W 20 W 1.75 W 20 W
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) 100 V 100 V 100 V 100 V
Numéro de produit de base MJD11 MJD112 MJD117 MJD11
Transistor Type NPN - Darlington NPN - Darlington PNP - Darlington NPN - Darlington
Fréquence - Transition 25MHz 25MHz 25MHz 25MHz
Package / Boîte TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Package composant fournisseur D-Pak DPAK DPAK DPAK
Courant - Collecteur Cutoff (Max) 20µA 20µA 20µA 20µA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 3V @ 40mA, 4A 3V @ 40mA, 4A 3V @ 40mA, 4A 2V @ 8mA, 2A

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
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Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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