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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleRFP12N10L
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

RFP12N10L - Harris Corporation

Fabricant Modèle de produit
RFP12N10L
Fabricant
Harris Corporation
Allelco Modèle de produit
32D-RFP12N10L
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 100V 12A TO220-3
Description détaillée
Emballage
TO-220-3
Fiche technique
RFP12N10L.pdf
En stock: 3790

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques RFP12N10L
Harris Corporation - RFP12N10L Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Harris Corporation - RFP12N10L

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Harris Corporation  
Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA  
Vgs (Max) ±10V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TO-220-3  
Séries -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 200mOhm @ 12A, 5V  
Dissipation de puissance (max) 60W (Tc)  
Package / Boîte TO-220-3  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Emballer Tube  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 900 pF @ 25 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 5V  
Tension drain-source (Vdss) 100 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 12A (Tc)  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Harris Corporation RFP12N10L

Attributs du produit RFP12N10L RFP14N05L RFP14N05 RFP10P15
Modèle de produit RFP12N10L RFP14N05L RFP14N05 RFP10P15
Fabricant Harris Corporation Fairchild Semiconductor onsemi Harris Corporation
Emballer Tube Tube Tube Bulk
Fonction FET - - - -
Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA 2V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 1mA
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3 TO-220
Package / Boîte TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
Séries - - - -
Vgs (Max) ±10V ±10V - ±20V
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 5V 5V - 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 200mOhm @ 12A, 5V 100mOhm @ 14A, 5V 100mOhm @ 14A, 10V 500mOhm @ 5A, 10V
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 900 pF @ 25 V 670 pF @ 25 V 570 pF @ 25 V 1700 pF @ 25 V
Tension drain-source (Vdss) 100 V 50 V 50 V 150 V
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 12A (Tc) 14A (Tc) 14A (Tc) 10A (Tc)
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) - -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Dissipation de puissance (max) 60W (Tc) 48W (Tc) - 75W (Tc)

Mode de transport

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
Référence des frais d'expédition DHL et FedEx
Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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