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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleRFP12N06RLE
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

RFP12N06RLE - Harris Corporation

Fabricant Modèle de produit
RFP12N06RLE
Fabricant
Harris Corporation
Allelco Modèle de produit
32D-RFP12N06RLE
Modèle ECAD
Description des pièces
N-CHANNEL POWER MOSFET
Description détaillée
Emballage
TO-220-3
Fiche technique
RFP12N06RLE.pdf
En stock: 64430

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques RFP12N06RLE
Harris Corporation - RFP12N06RLE Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Harris Corporation - RFP12N06RLE

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Harris Corporation  
Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA  
Vgs (Max) ±16V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TO-220  
Séries UltraFET™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 63mOhm @ 18A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 49W (Tc)  
Package / Boîte TO-220-3  
Emballer Bulk  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 485 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 15 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V  
Tension drain-source (Vdss) 60 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 18A (Tc)  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Harris Corporation RFP12N06RLE

Attributs du produit RFP12N06RLE RFP14N05L RFP14N05L RFP14N05
Modèle de produit RFP12N06RLE RFP14N05L RFP14N05L RFP14N05
Fabricant Harris Corporation Fairchild Semiconductor onsemi onsemi
Emballer Bulk Tube Tube Tube
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 485 pF @ 25 V 670 pF @ 25 V 670 pF @ 25 V 570 pF @ 25 V
Tension drain-source (Vdss) 60 V 50 V 50 V 50 V
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V 5V 5V -
Fonction FET - - - -
Vgs (Max) ±16V ±10V ±10V -
Package composant fournisseur TO-220 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
Séries UltraFET™ - - -
Type de montage Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA 2V @ 250µA 2V @ 250µA 4V @ 250µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs 63mOhm @ 18A, 10V 100mOhm @ 14A, 5V 100mOhm @ 14A, 5V 100mOhm @ 14A, 10V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 15 nC @ 10 V 40 nC @ 10 V 40 nC @ 10 V 40 nC @ 20 V
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 18A (Tc) 14A (Tc) 14A (Tc) 14A (Tc)
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -
Dissipation de puissance (max) 49W (Tc) 48W (Tc) 48W (Tc) -
Package / Boîte TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
Référence des frais d'expédition DHL et FedEx
Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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