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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleRFP12N10L
RFP12N10L Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

RFP12N10L - onsemi

Fabricant Modèle de produit
RFP12N10L
Fabricant
onsemi
Allelco Modèle de produit
32D-RFP12N10L
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 100V 12A TO220-3
Description détaillée
Emballage
TO-220-3
Fiche technique
TO220B03 Pkg Drawing.pdf
RFP12N10L.pdf
État RoHS
En stock: 61630

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques RFP12N10L
onsemi - RFP12N10L Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à onsemi - RFP12N10L

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant onsemi  
Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA  
Vgs (Max) ±10V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TO-220-3  
Séries -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 200mOhm @ 12A, 5V  
Dissipation de puissance (max) 60W (Tc)  
Package / Boîte TO-220-3  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 900 pF @ 25 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 5V  
Tension drain-source (Vdss) 100 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 12A (Tc)  
Numéro de produit de base RFP12N10  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de onsemi RFP12N10L

Attributs du produit RFP12N10L RFP12N10L RFP14N05L RFP14N05
Modèle de produit RFP12N10L RFP12N10L RFP14N05L RFP14N05
Fabricant onsemi Fairchild Semiconductor Fairchild Semiconductor onsemi
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 12A (Tc) - 14A (Tc) 14A (Tc)
Package composant fournisseur TO-220-3 - TO-220-3 TO-220-3
La technologie MOSFET (Metal Oxide) - MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±10V - ±10V -
Type de montage Through Hole - Through Hole Through Hole
Emballer Tube Bulk Tube Tube
Numéro de produit de base RFP12N10 - - RFP14
Package / Boîte TO-220-3 - TO-220-3 TO-220-3
Séries - * - -
Dissipation de puissance (max) 60W (Tc) - 48W (Tc) -
Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA - 2V @ 250µA 4V @ 250µA
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 900 pF @ 25 V - 670 pF @ 25 V 570 pF @ 25 V
type de FET N-Channel - N-Channel N-Channel
Tension drain-source (Vdss) 100 V - 50 V 50 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 200mOhm @ 12A, 5V - 100mOhm @ 14A, 5V 100mOhm @ 14A, 10V
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) - -55°C ~ 175°C (TJ) -
Fonction FET - - - -
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 5V - 5V -

Fiche technique RFP12N10L PDF

Téléchargez RFP12N10L PDF DataSheets et Documentation onsemi pour RFP12N10L - onsemi.

Informations environnementales
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
Conception / spécification PCN
Logo 17/Aug/2017.pdf
Emballage PCN
Mult Devices 24/Oct/2017.pdf Tape and Box/Reel Barcode Update 07/Aug/2014.pdf
Feuilles de données
TO220B03 Pkg Drawing.pdf RFP12N10L.pdf
Assemblage / origine PCN
Mult Dev 14/Dec/2022.pdf

Mode de transport

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
Référence des frais d'expédition DHL et FedEx
Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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