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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleRFG75N05E
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

RFG75N05E - Harris Corporation

Fabricant Modèle de produit
RFG75N05E
Fabricant
Harris Corporation
Allelco Modèle de produit
32D-RFG75N05E
Modèle ECAD
Description des pièces
N-CHANNEL POWER MOSFET
Description détaillée
Emballage
TO-247-3
Fiche technique
RFG75N05E.pdf
En stock: 3894

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques RFG75N05E
Harris Corporation - RFG75N05E Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Harris Corporation - RFG75N05E

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Harris Corporation  
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TO-247  
Séries -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 8mOhm @ 75A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 240W (Tc)  
Package / Boîte TO-247-3  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Emballer Bulk  
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 400 nC @ 20 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 50 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 75A (Tc)  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Harris Corporation RFG75N05E

Attributs du produit RFG75N05E RFG70N06 RFG40N10 RFG60P05E
Modèle de produit RFG75N05E RFG70N06 RFG40N10 RFG60P05E
Fabricant Harris Corporation onsemi onsemi onsemi
Package / Boîte TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3
Emballer Bulk Tube Tube Tube
Type de montage Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA
Package composant fournisseur TO-247 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3
Dissipation de puissance (max) 240W (Tc) 150W (Tc) 160W (Tc) 215W (Tc)
Tension drain-source (Vdss) 50 V 60 V 100 V 50 V
Fonction FET - - - -
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 400 nC @ 20 V 156 nC @ 20 V 300 nC @ 20 V 450 nC @ 20 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 8mOhm @ 75A, 10V 14mOhm @ 70A, 10V 40mOhm @ 40A, 10V 30mOhm @ 60A, 10V
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel P-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 75A (Tc) 70A (Tc) 40A (Tc) 60A (Tc)
Séries - - - -

Mode de transport

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
Référence des frais d'expédition DHL et FedEx
Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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