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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleRFG40N10
Fairchild Semiconductor
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

RFG40N10 - Fairchild Semiconductor

Fabricant Modèle de produit
RFG40N10
Fabricant
Fairchild (onsemi)
Allelco Modèle de produit
32D-RFG40N10
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 100V 40A TO247-3
Description détaillée
Emballage
TO-247-3
Fiche technique
RFG40N10.pdf
En stock: 19076

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques RFG40N10
Fairchild Semiconductor - RFG40N10 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Fairchild Semiconductor - RFG40N10

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Fairchild (onsemi)  
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TO-247  
Séries -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 40mOhm @ 40A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 160W (Tc)  
Package / Boîte TO-247-3  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Emballer Tube  
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 300 nC @ 20 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 100 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 40A (Tc)  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Fairchild Semiconductor RFG40N10

Attributs du produit RFG40N10 RFG75N05E RFG70N06 RFG40N10LE
Modèle de produit RFG40N10 RFG75N05E RFG70N06 RFG40N10LE
Fabricant Fairchild Semiconductor Harris Corporation onsemi Harris Corporation
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 40A (Tc) 75A (Tc) 70A (Tc) -
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA -
Package / Boîte TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3 -
Package composant fournisseur TO-247 TO-247 TO-247-3 -
Dissipation de puissance (max) 160W (Tc) 240W (Tc) 150W (Tc) -
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel -
Fonction FET - - - -
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V -
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 300 nC @ 20 V 400 nC @ 20 V 156 nC @ 20 V -
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V -
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) -
Tension drain-source (Vdss) 100 V 50 V 60 V -
Séries - - - *
Rds On (Max) @ Id, Vgs 40mOhm @ 40A, 10V 8mOhm @ 75A, 10V 14mOhm @ 70A, 10V -
Emballer Tube Bulk Tube Bulk
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -
Type de montage Through Hole Through Hole Through Hole -

Mode de transport

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
Référence des frais d'expédition DHL et FedEx
Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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