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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleRFG40N10
onsemi
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

RFG40N10 - onsemi

Fabricant Modèle de produit
RFG40N10
Fabricant
onsemi
Allelco Modèle de produit
32D-RFG40N10
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 100V 40A TO247-3
Description détaillée
Emballage
TO-247-3
Fiche technique
RFG40N10, RFP40N10, RF1S40N10/SM.pdf
En stock: 4970

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques RFG40N10
onsemi - RFG40N10 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à onsemi - RFG40N10

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant onsemi  
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TO-247-3  
Séries -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 40mOhm @ 40A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 160W (Tc)  
Package / Boîte TO-247-3  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 300 nC @ 20 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 100 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 40A (Tc)  
Numéro de produit de base RFG40  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de onsemi RFG40N10

Attributs du produit RFG40N10 RFG70N06 AUIRFR2905Z RFG75N05E
Modèle de produit RFG40N10 RFG70N06 AUIRFR2905Z RFG75N05E
Fabricant onsemi onsemi Infineon Technologies Harris Corporation
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V 10V
Type de montage Through Hole Through Hole Surface Mount Through Hole
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Séries - - HEXFET® -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 40mOhm @ 40A, 10V 14mOhm @ 70A, 10V 14.5mOhm @ 36A, 10V 8mOhm @ 75A, 10V
Tension drain-source (Vdss) 100 V 60 V 55 V 50 V
Package composant fournisseur TO-247-3 TO-247-3 D-Pak TO-247
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Package / Boîte TO-247-3 TO-247-3 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-247-3
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Emballer Tube Tube Tube Bulk
Dissipation de puissance (max) 160W (Tc) 150W (Tc) 110W (Tc) 240W (Tc)
Fonction FET - - - -
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA
Numéro de produit de base RFG40 RFG70 AUIRFR2905 -
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 300 nC @ 20 V 156 nC @ 20 V 44 nC @ 10 V 400 nC @ 20 V
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 40A (Tc) 70A (Tc) 42A (Tc) 75A (Tc)

Fiche technique RFG40N10 PDF

Téléchargez RFG40N10 PDF DataSheets et Documentation onsemi pour RFG40N10 - onsemi.

Informations environnementales
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
Feuilles de données
RFG40N10, RFP40N10, RF1S40N10/SM.pdf

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
Référence des frais d'expédition DHL et FedEx
Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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