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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SinglePJW4P06A_R2_00001
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

PJW4P06A_R2_00001 - Panjit International Inc.

Fabricant Modèle de produit
PJW4P06A_R2_00001
Fabricant
PANJIT
Allelco Modèle de produit
32D-PJW4P06A_R2_00001
Modèle ECAD
Description des pièces
60V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Description détaillée
Emballage
TO-261-4, TO-261AA
Fiche technique
PJW4P06A.pdf
État RoHS
En stock: 274180

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques PJW4P06A_R2_00001
Panjit International Inc. - PJW4P06A_R2_00001 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Panjit International Inc. - PJW4P06A_R2_00001

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant PANJIT  
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur SOT-223  
Séries PJW  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 110mOhm @ 4A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 3.1W (Ta)  
Package / Boîte TO-261-4, TO-261AA  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 785 pF @ 30 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 10 nC @ 10 V  
type de FET P-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V  
Tension drain-source (Vdss) 60 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 4A (Ta)  
Numéro de produit de base PJW4P06  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Panjit International Inc. PJW4P06A_R2_00001

Attributs du produit PJW4P06A_R2_00001 FDA20N50 PJW5N10A_R2_00001 PJW5N10_R2_00001
Modèle de produit PJW4P06A_R2_00001 FDA20N50 PJW5N10A_R2_00001 PJW5N10_R2_00001
Fabricant Panjit International Inc. Fairchild Semiconductor Panjit International Inc. Panjit International Inc.
Type de montage Surface Mount Through Hole Surface Mount Surface Mount
Dissipation de puissance (max) 3.1W (Ta) - 3.1W (Ta), 5.2W (Tc) 3.1W (Ta)
Vgs (Max) ±20V - ±20V ±20V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA 5V @ 250µA 2.5V @ 250µA 3.5V @ 250µA
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 10 nC @ 10 V 59.5 nC @ 10 V 20 nC @ 10 V 12 nC @ 10 V
Package composant fournisseur SOT-223 TO-3PN SOT-223 SOT-223
Package / Boîte TO-261-4, TO-261AA TO-3P-3, SC-65-3 TO-261-4, TO-261AA TO-261-4, TO-261AA
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V - 4.5V, 10V 6V, 10V
Fonction FET - - - -
Numéro de produit de base PJW4P06 - PJW5N10 PJW5N10
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 785 pF @ 30 V 3120 pF @ 25 V 1413 pF @ 25 V 707 pF @ 30 V
type de FET P-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 4A (Ta) 22A (Tc) 3.5A (Ta), 5A (Tc) 3.1A (Ta), 5A (Tc)
Emballer Tape & Reel (TR) Tube Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 110mOhm @ 4A, 10V 230mOhm @ 11A, 10V 115mOhm @ 4A, 10V 130mOhm @ 2.5A, 10V
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) - -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Séries PJW UniFET™ - -
Tension drain-source (Vdss) 60 V 500 V 100 V 100 V

Fiche technique PJW4P06A_R2_00001 PDF

Téléchargez PJW4P06A_R2_00001 PDF DataSheets et Documentation Panjit International Inc. pour PJW4P06A_R2_00001 - Panjit International Inc..

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