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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleFDA20N50
Fairchild Semiconductor
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

FDA20N50 - Fairchild Semiconductor

Fabricant Modèle de produit
FDA20N50
Fabricant
Fairchild (onsemi)
Allelco Modèle de produit
32D-FDA20N50
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 500V 22A TO3PN
Description détaillée
Emballage
TO-3P-3, SC-65-3
Fiche technique
FDA20N50.pdf
État RoHS
En stock: 14005

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques FDA20N50
Fairchild Semiconductor - FDA20N50 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Fairchild Semiconductor - FDA20N50

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Fairchild (onsemi)  
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TO-3PN  
Séries UniFET™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 230mOhm @ 11A, 10V  
Package / Boîte TO-3P-3, SC-65-3  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 3120 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 59.5 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension drain-source (Vdss) 500 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 22A (Tc)  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Fairchild Semiconductor FDA20N50

Attributs du produit FDA20N50 FDA16N50 FDA16N50LDTU FDA20N50-F109
Modèle de produit FDA20N50 FDA16N50 FDA16N50LDTU FDA20N50-F109
Fabricant Fairchild Semiconductor onsemi Fairchild Semiconductor onsemi
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 22A (Tc) 16.5A (Tc) 16.5A (Tc) 22A (Tc)
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 59.5 nC @ 10 V 45 nC @ 10 V 45 nC @ 10 V 59.5 nC @ 10 V
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA 5V @ 250µA 5V @ 250µA 5V @ 250µA
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Type de montage Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Emballer Tube Tube Bulk Tube
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Séries UniFET™ UniFET™ - UniFET™
Rds On (Max) @ Id, Vgs 230mOhm @ 11A, 10V 380mOhm @ 8.3A, 10V 380mOhm @ 8.3A, 10V 230mOhm @ 11A, 10V
Package / Boîte TO-3P-3, SC-65-3 TO-3P-3, SC-65-3 TO-3P-3, SC-65-3 (Formed Leads) TO-3P-3, SC-65-3
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 3120 pF @ 25 V 1945 pF @ 25 V 1945 pF @ 25 V 3120 pF @ 25 V
Tension drain-source (Vdss) 500 V 500 V 500 V 500 V
Package composant fournisseur TO-3PN TO-3PN TO-3PN (L-Forming) TO-3PN
Fonction FET - - - -

Mode de transport

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
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Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
Référence des frais d'expédition DHL et FedEx
Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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