Spécifications
Spécifications techniques MRF5812R2
Microsemi Corporation - MRF5812R2 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Microsemi Corporation - MRF5812R2
| Attributs du produit |
Valeur des attributs
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| Fabricant |
Microsemi |
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| Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) |
200mA |
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| Tension - Ventilation |
8-SO |
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| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic |
18V |
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| Séries |
- |
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| État RoHS |
Tape & Reel (TR) |
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| Resistor - Base (R1) (Ohms) |
5GHz |
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| Puissance - Max |
1.25W |
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| Polarisation |
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
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| Température de fonctionnement |
150°C (TJ) |
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| Attributs du produit |
Valeur des attributs
| |
| Type de montage |
Surface Mount |
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| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) |
1 (Unlimited) |
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| Référence fabricant |
MRF5812R2 |
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| Gain |
2dB @ 500MHz |
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| Fréquence - Transition |
50 @ 50mA, 5V |
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| type de FET |
15.5dB |
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| Description élargie |
RF Transistor NPN 18V 200mA 5GHz 1.25W Surface Mount 8-SO |
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| La description |
RF TRANS NPN 18V 200MA 8SOIC |
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| Courant - Collecteur (Ic) (max) |
NPN |
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Mode de transport
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| Pays communs Référence du temps logistique |
| Région |
Pays |
Heure logistique (jour) |
| Amérique |
États-Unis |
5 |
| Brésil |
7 |
| L'Europe |
Allemagne |
5 |
| Royaume-Uni |
4 |
| Italie |
5 |
| Océanie |
Australie |
6 |
| Nouvelle-Zélande |
5 |
| Asie |
Inde |
4 |
| Japon |
4 |
| Moyen-Orient |
Israël |
6 |
| Référence des frais d'expédition DHL et FedEx |
| Frais d'expédition (kg) |
Référence DHL (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg |
USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg |
USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg |
USD$50.00 - USD$100.00 |
- Note:
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MRF5711LT1GAMI Semiconductor/onsemi
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MRF586Microsemi CorporationRF TRANS NPN 17V 3GHZ TO39