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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - bipolaire (BJT) - RFMRF5812GR1
MRF5812GR1 Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

MRF5812GR1 - Microsemi Corporation

Fabricant Modèle de produit
MRF5812GR1
Fabricant
Microsemi
Allelco Modèle de produit
32D-MRF5812GR1
Modèle ECAD
Description des pièces
RF TRANS NPN 15V 5GHZ 8SO
Description détaillée
Emballage
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Fiche technique
MRF5812(G)R1,R2.pdf
En stock: 3900

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques MRF5812GR1
Microsemi Corporation - MRF5812GR1 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Microsemi Corporation - MRF5812GR1

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Microsemi  
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) 15V  
Transistor Type NPN  
Package composant fournisseur 8-SO  
Séries -  
Puissance - Max 1.25W  
Package / Boîte 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -  
Noise Figure (dB Typ @ f) 2dB ~ 3dB @ 500MHz  
Type de montage Surface Mount  
Gain 13dB ~ 15.5dB  
Fréquence - Transition 5GHz  
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 50 @ 50mA, 5V  
Courant - Collecteur (Ic) (max) 200mA  
Numéro de produit de base MRF5812  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Microsemi Corporation MRF5812GR1

Attributs du produit MRF5812GR1 MRF559 MRF586 MRF581G
Modèle de produit MRF5812GR1 MRF559 MRF586 MRF581G
Fabricant Microsemi Corporation Microsemi Corporation Microsemi Corporation Microsemi Corporation
Puissance - Max 1.25W 2W 1W 1.25W
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 50 @ 50mA, 5V 30 @ 50mA, 10V 40 @ 50mA, 5V 50 @ 50mA, 5V
Package composant fournisseur 8-SO Macro-X TO-39 Micro-X ceramic (84C)
Séries - - - -
Courant - Collecteur (Ic) (max) 200mA 150mA 200mA 200mA
Numéro de produit de base MRF5812 - - MRF581
Type de montage Surface Mount Surface Mount Through Hole Surface Mount
Package / Boîte 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Macro-X TO-205AD, TO-39-3 Metal Can Micro-X ceramic (84C)
Emballer Tape & Reel (TR) Bulk Bulk Bulk
Fréquence - Transition 5GHz 870MHz 3GHz 5GHz
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) 15V 16V 17V 18V
Gain 13dB ~ 15.5dB 9.5dB 13.5dB 13dB ~ 15.5dB
Température de fonctionnement - - - 150°C (TJ)
Noise Figure (dB Typ @ f) 2dB ~ 3dB @ 500MHz - - 3dB ~ 3.5dB @ 500MHz
Transistor Type NPN NPN NPN NPN

Fiche technique MRF5812GR1 PDF

Téléchargez MRF5812GR1 PDF DataSheets et Documentation Microsemi Corporation pour MRF5812GR1 - Microsemi Corporation.

Informations environnementales
Microchip CA Prop65.pdf Microchip REACH.pdf Microchip RoHS.pdf
Feuilles de données
MRF5812(G)R1,R2.pdf

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
Référence des frais d'expédition DHL et FedEx
Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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MRF5812GR1

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32D-MRF5812GR1

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