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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - bipolaire (BJT) - RFMRF5812R1
MRF5812R1 Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

MRF5812R1 - Microsemi Corporation

Fabricant Modèle de produit
MRF5812R1
Fabricant
Microsemi
Allelco Modèle de produit
32D-MRF5812R1
Modèle ECAD
Description des pièces
RF TRANS NPN 15V 5GHZ 8SO
Description détaillée
Emballage
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Fiche technique
MRF5812R1.pdf
En stock: 3730

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques MRF5812R1
Microsemi Corporation - MRF5812R1 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Microsemi Corporation - MRF5812R1

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Microsemi  
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) 15V  
Transistor Type NPN  
Package composant fournisseur 8-SO  
Séries -  
Puissance - Max 1.25W  
Package / Boîte 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -  
Noise Figure (dB Typ @ f) 2dB ~ 3dB @ 500MHz  
Type de montage Surface Mount  
Gain 13dB ~ 15.5dB  
Fréquence - Transition 5GHz  
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 50 @ 50mA, 5V  
Courant - Collecteur (Ic) (max) 200mA  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Microsemi Corporation MRF5812R1

Attributs du produit MRF5812R1 MRF581 MRF581G MRF5812R2
Modèle de produit MRF5812R1 MRF581 MRF581G MRF5812R2
Fabricant Microsemi Corporation Microsemi Corporation Microsemi Corporation Microsemi Corporation
Gain 13dB ~ 15.5dB 13dB ~ 15.5dB 13dB ~ 15.5dB 2dB @ 500MHz
Transistor Type NPN NPN NPN -
Puissance - Max 1.25W 1.25W 1.25W 1.25W
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 50 @ 50mA, 5V 50 @ 50mA, 5V 50 @ 50mA, 5V -
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Courant - Collecteur (Ic) (max) 200mA 200mA 200mA NPN
Température de fonctionnement - 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ)
Fréquence - Transition 5GHz 5GHz 5GHz 50 @ 50mA, 5V
Séries - - - -
Package / Boîte 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Micro-X ceramic (84C) Micro-X ceramic (84C) -
Noise Figure (dB Typ @ f) 2dB ~ 3dB @ 500MHz 3dB ~ 3.5dB @ 500MHz 3dB ~ 3.5dB @ 500MHz -
Emballer Tape & Reel (TR) Bulk Bulk -
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) 15V 18V 18V 200mA
Package composant fournisseur 8-SO Micro-X ceramic (84C) Micro-X ceramic (84C) -

Fiche technique MRF5812R1 PDF

Téléchargez MRF5812R1 PDF DataSheets et Documentation Microsemi Corporation pour MRF5812R1 - Microsemi Corporation.

Informations environnementales
Microchip CA Prop65.pdf Microchip REACH.pdf Microchip RoHS.pdf
PCN Obsolescence / EOL
B0YY 02/Jul/2013.pdf

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
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Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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MRF5812R1

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32D-MRF5812R1

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