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LND150N3-G - Microchip Technology

Fabricant Modèle de produit
LND150N3-G
Fabricant
Microchip Technology
Allelco Modèle de produit
32D-LND150N3-G
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 500V 30MA TO92-3
Emballage
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Fiche technique
LND150N3-G.pdf
État RoHS
Notre certification
En stock: 84510

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Quantité
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Notre certification

Spécifications

Spécifications techniques LND150N3-G
Microchip Technology - LND150N3-G Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Microchip Technology - LND150N3-G

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Microchip Technology  
Vgs (th) (Max) @ Id -  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TO-92-3  
Séries -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1000Ohm @ 500µA, 0V  
Dissipation de puissance (max) 740mW (Ta)  
Package / Boîte TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)  
Emballer Bag  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 10 pF @ 25 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET Depletion Mode  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 0V  
Tension drain-source (Vdss) 500 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 30mA (Tj)  
Numéro de produit de base LND150  

Classifications environnementales et d'exportation

ATTRIBUT LA DESCRIPTION
État RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Statut de portée REACH Unaffected
ECCN EAR99
HTSUS

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Microchip Technology LND150N3-G

Attributs du produit LND150N3-G IRF9410PBF LND150K1-G IRLR7843CPBF
Modèle de produit LND150N3-G IRF9410PBF LND150K1-G IRLR7843CPBF
Fabricant Microchip Technology Infineon Technologies Microchip Technology Infineon Technologies
Numéro de produit de base LND150 IRF9410 LND150 -
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 0V 4.5V, 10V 0V 4.5V, 10V
Séries - HEXFET® - HEXFET®
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur TO-92-3 8-SO SOT-23-3 D-Pak
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 30mA (Tj) 7A (Ta) 13mA (Tj) 161A (Tc)
Fonction FET Depletion Mode - Depletion Mode -
Emballer Bag Tube Tape & Reel (TR) Tube
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 10 pF @ 25 V 550 pF @ 25 V 10 pF @ 25 V 4380 pF @ 15 V
Vgs (th) (Max) @ Id - 1V @ 250µA - 2.3V @ 250µA
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1000Ohm @ 500µA, 0V 30mOhm @ 7A, 10V 1000Ohm @ 500µA, 0V 3.3mOhm @ 15A, 10V
Type de montage Through Hole Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Tension drain-source (Vdss) 500 V 30 V 500 V 30 V
Package / Boîte TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Dissipation de puissance (max) 740mW (Ta) 2.5W (Ta) 360mW (Ta) 140W (Tc)

Fiche technique LND150N3-G PDF

Téléchargez LND150N3-G PDF DataSheets et Documentation Microchip Technology pour LND150N3-G - Microchip Technology.

Emballage PCN
Label and Packing Changes 23/Sep/2015.pdf
Informations environnementales
Microchip CA Prop65.pdf Microchip REACH.pdf Microchip RoHS.pdf
Assemblage / origine PCN
Assembly Site Qualification 08/Jun/2016.pdf
Conception / spécification PCN
New mold compound material 04/Nov/2021.pdf LND150/LND250 20/Aug/2018.pdf

Mode de transport

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
Référence des frais d'expédition DHL et FedEx
Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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LND150N3-G

Microchip Technology
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