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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SinglePSMN7R6-100BSEJ
PSMN7R6-100BSEJ Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

PSMN7R6-100BSEJ - Nexperia USA Inc.

Fabricant Modèle de produit
PSMN7R6-100BSEJ
Fabricant
Nexperia
Allelco Modèle de produit
32D-PSMN7R6-100BSEJ
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 100V 75A D2PAK
Description détaillée
Emballage
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Fiche technique
PSMN7R6-100BSE.pdf
État RoHS
En stock: 21789

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques PSMN7R6-100BSEJ
Nexperia USA Inc. - PSMN7R6-100BSEJ Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Nexperia USA Inc. - PSMN7R6-100BSEJ

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Nexperia  
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 1mA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur D2PAK  
Séries -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 7.6mOhm @ 25A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 296W (Tc)  
Package / Boîte TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 7110 pF @ 50 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 128 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 100 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 75A (Tj)  
Numéro de produit de base PSMN7R6  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Nexperia USA Inc. PSMN7R6-100BSEJ

Attributs du produit PSMN7R6-100BSEJ PSMN8R5-100ES PSMN7R5-60YLX PSMN7R5-30MLDX
Modèle de produit PSMN7R6-100BSEJ PSMN8R5-100ES PSMN7R5-60YLX PSMN7R5-30MLDX
Fabricant Nexperia USA Inc. Nexperia USA Inc. Nexperia USA Inc. Nexperia USA Inc.
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 75A (Tj) - 86A (Tc) 57A (Tc)
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 128 nC @ 10 V - 31 nC @ 5 V 11.3 nC @ 10 V
Package composant fournisseur D2PAK - LFPAK56, Power-SO8 LFPAK33
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 7110 pF @ 50 V - 4570 pF @ 25 V 655 pF @ 15 V
Numéro de produit de base PSMN7R6 PSMN8R5 PSMN7R5 PSMN7R5
Rds On (Max) @ Id, Vgs 7.6mOhm @ 25A, 10V - 7.5mOhm @ 20A, 10V 7.6mOhm @ 15A, 10V
Type de montage Surface Mount - Surface Mount Surface Mount
La technologie MOSFET (Metal Oxide) - MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
type de FET N-Channel - N-Channel N-Channel
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V - 5V, 10V 4.5V, 10V
Séries - * - -
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) - -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Fonction FET - - - -
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 1mA - 2.1V @ 1mA 2.2V @ 1mA
Tension drain-source (Vdss) 100 V - 60 V 30 V
Package / Boîte TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB - SC-100, SOT-669 SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Vgs (Max) ±20V - ±20V ±20V
Dissipation de puissance (max) 296W (Tc) - 147W (Tc) 45W (Tc)
Emballer Tape & Reel (TR) Bulk Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

Fiche technique PSMN7R6-100BSEJ PDF

Téléchargez PSMN7R6-100BSEJ PDF DataSheets et Documentation Nexperia USA Inc. pour PSMN7R6-100BSEJ - Nexperia USA Inc..

Emballage PCN
All Dev Label Chgs 2/Aug/2020.pdf Mult Devices Label 30/Sep/2018.pdf
Feuilles de données
PSMN7R6-100BSE.pdf
Assemblage / origine PCN
Additional Fab Site 30/Apr/2014.pdf

Mode de transport

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Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
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Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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