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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleSTP25N10F7
STP25N10F7 Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

STP25N10F7 - STMicroelectronics

Fabricant Modèle de produit
STP25N10F7
Fabricant
STMicroelectronics
Allelco Modèle de produit
32D-STP25N10F7
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 100V 25A TO220
Description détaillée
Emballage
TO-220-3
Fiche technique
STx25N10F7.pdf
État RoHS
En stock: 5100

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques STP25N10F7
STMicroelectronics - STP25N10F7 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à STMicroelectronics - STP25N10F7

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant STMicroelectronics  
Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TO-220  
Séries DeepGATE™, STripFET™ VII  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 35mOhm @ 12.5A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 50W (Tc)  
Package / Boîte TO-220-3  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 920 pF @ 50 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 14 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 100 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 25A (Tc)  
Numéro de produit de base STP25  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de STMicroelectronics STP25N10F7

Attributs du produit STP25N10F7 STP260N4F7 STP25N60M2-EP STP24NM60N
Modèle de produit STP25N10F7 STP260N4F7 STP25N60M2-EP STP24NM60N
Fabricant STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Numéro de produit de base STP25 - STP25 STP24
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 920 pF @ 50 V 5600pF @ 25V 1090 pF @ 100 V 1400 pF @ 50 V
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 250µA 4V @ 250µA 4.75V @ 250µA 4V @ 250µA
Type de montage Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Package composant fournisseur TO-220 TO-220 TO-220 TO-220
Fonction FET - - - -
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V 10V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 14 nC @ 10 V 67nC @ 10V 29 nC @ 10 V 46 nC @ 10 V
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 25A (Tc) 120A (Tc) 18A (Tc) 17A (Tc)
Séries DeepGATE™, STripFET™ VII STripFET™ MDmesh™ M2-EP MDmesh™ II
Rds On (Max) @ Id, Vgs 35mOhm @ 12.5A, 10V 2.2 mOhm @ 60A, 10V 188mOhm @ 9A, 10V 190mOhm @ 8A, 10V
Dissipation de puissance (max) 50W (Tc) 235W (Tc) 150W (Tc) 125W (Tc)
Vgs (Max) ±20V ±20V ±25V ±30V
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Emballer Tube - Tube Tube
Tension drain-source (Vdss) 100 V 40V 600 V 600 V
Package / Boîte TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

Fiche technique STP25N10F7 PDF

Téléchargez STP25N10F7 PDF DataSheets et Documentation STMicroelectronics pour STP25N10F7 - STMicroelectronics.

Conception / spécification PCN
Mult Dev Adv Material Notice 8/Apr/2019.pdf
Assemblage / origine PCN
Mult Dev Plating Process 13/Dec/2018.pdf
Feuilles de données
STx25N10F7.pdf
PCN Obsolescence / EOL
STP EOL 25-Mar-2022.pdf

Mode de transport

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
Référence des frais d'expédition DHL et FedEx
Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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STP25N10F7

STMicroelectronics
32D-STP25N10F7

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