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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleDN3545N3-G
DN3545N3-G Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

DN3545N3-G - Microchip Technology

Fabricant Modèle de produit
DN3545N3-G
Fabricant
Microchip Technology
Allelco Modèle de produit
32D-DN3545N3-G
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 450V 136MA TO92
Description détaillée
Emballage
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Fiche technique
DN3545.pdf
État RoHS
En stock: 65010

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques DN3545N3-G
Microchip Technology - DN3545N3-G Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Microchip Technology - DN3545N3-G

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Microchip Technology  
Vgs (th) (Max) @ Id -  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TO-92 (TO-226)  
Séries -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 20Ohm @ 150mA, 0V  
Dissipation de puissance (max) 740mW (Ta)  
Package / Boîte TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)  
Emballer Bag  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 360 pF @ 25 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET Depletion Mode  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 0V  
Tension drain-source (Vdss) 450 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 136mA (Ta)  
Numéro de produit de base DN3545  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Microchip Technology DN3545N3-G

Attributs du produit DN3545N3-G DN3135K1-G STD11NM50N DN3545N8-G
Modèle de produit DN3545N3-G DN3135K1-G STD11NM50N DN3545N8-G
Fabricant Microchip Technology Microchip Technology STMicroelectronics Microchip Technology
Package / Boîte TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-243AA
Rds On (Max) @ Id, Vgs 20Ohm @ 150mA, 0V 35Ohm @ 150mA, 0V 470mOhm @ 4.5A, 10V 20Ohm @ 150mA, 0V
Type de montage Through Hole Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Fonction FET Depletion Mode Depletion Mode - Depletion Mode
Séries - - MDmesh™ II -
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Numéro de produit de base DN3545 DN3135 STD11 DN3545
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 0V 0V 10V 0V
Vgs (Max) ±20V ±20V ±25V ±20V
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Package composant fournisseur TO-92 (TO-226) SOT-23-3 DPAK TO-243AA (SOT-89)
Dissipation de puissance (max) 740mW (Ta) 360mW (Ta) 70W (Tc) 1.6W (Ta)
Emballer Bag Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 360 pF @ 25 V 120 pF @ 25 V 547 pF @ 50 V 360 pF @ 25 V
Vgs (th) (Max) @ Id - - 4V @ 250µA -
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 136mA (Ta) 72mA (Tj) 8.5A (Tc) 200mA (Ta)
Tension drain-source (Vdss) 450 V 350 V 500 V 450 V

Fiche technique DN3545N3-G PDF

Téléchargez DN3545N3-G PDF DataSheets et Documentation Microchip Technology pour DN3545N3-G - Microchip Technology.

Emballage PCN
Label and Packing Changes 23/Sep/2015.pdf
Informations environnementales
Microchip CA Prop65.pdf Microchip REACH.pdf Microchip RoHS.pdf
Assemblage / origine PCN
New Mold Compound 16/May/2022.pdf
Feuilles de données
DN3545.pdf
Conception / spécification PCN
DN3545 23/Apr/2018.pdf

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
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Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
Référence des frais d'expédition DHL et FedEx
Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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DN3545N3-G

Microchip Technology
32D-DN3545N3-G

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