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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleDN3145N8-G
DN3145N8-G Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

DN3145N8-G - Microchip Technology

Fabricant Modèle de produit
DN3145N8-G
Fabricant
Microchip Technology
Allelco Modèle de produit
32D-DN3145N8-G
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 450V 100MA TO243AA
Description détaillée
Emballage
TO-243AA
Fiche technique
DN3145N8-G.pdf
État RoHS
En stock: 64510

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques DN3145N8-G
Microchip Technology - DN3145N8-G Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Microchip Technology - DN3145N8-G

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Microchip Technology  
Vgs (th) (Max) @ Id -  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TO-243AA (SOT-89)  
Séries -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 60Ohm @ 100mA, 0V  
Dissipation de puissance (max) 1.3W (Ta)  
Package / Boîte TO-243AA  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 120 pF @ 25 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET Depletion Mode  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 0V  
Tension drain-source (Vdss) 450 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 100mA (Tj)  
Numéro de produit de base DN3145  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Microchip Technology DN3145N8-G

Attributs du produit DN3145N8-G AO4448L DN3525N8-G SI7686DP-T1-GE3
Modèle de produit DN3145N8-G AO4448L DN3525N8-G SI7686DP-T1-GE3
Fabricant Microchip Technology Alpha & Omega Semiconductor Inc. Microchip Technology Vishay Siliconix
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 0V 7V, 10V 0V 4.5V, 10V
Numéro de produit de base DN3145 AO44 DN3525 SI7686
Vgs (th) (Max) @ Id - 4.2V @ 250µA - 3V @ 250µA
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Fonction FET Depletion Mode - Depletion Mode -
Tension drain-source (Vdss) 450 V 80 V 250 V 30 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 60Ohm @ 100mA, 0V 16mOhm @ 10A, 10V 6Ohm @ 200mA, 0V 9.5mOhm @ 13.8A, 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 120 pF @ 25 V 2005 pF @ 40 V 350 pF @ 25 V 1220 pF @ 15 V
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Dissipation de puissance (max) 1.3W (Ta) 3.1W (Ta) 1.6W (Ta) 5W (Ta), 37.9W (Tc)
Séries - SDMOS™ - TrenchFET®
Package composant fournisseur TO-243AA (SOT-89) 8-SOIC TO-243AA (SOT-89) PowerPAK® SO-8
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 100mA (Tj) 10A (Ta) 360mA (Tj) 35A (Tc)
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Emballer Tape & Reel (TR) Bulk Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Vgs (Max) ±20V ±25V ±20V ±20V
Package / Boîte TO-243AA 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) TO-243AA PowerPAK® SO-8

Fiche technique DN3145N8-G PDF

Téléchargez DN3145N8-G PDF DataSheets et Documentation Microchip Technology pour DN3145N8-G - Microchip Technology.

Emballage PCN
Label and Packing Changes 23/Sep/2015.pdf Packing Changes 10/Oct/2016.pdf
Informations environnementales
Microchip CA Prop65.pdf Microchip REACH.pdf Microchip RoHS.pdf
Conception / spécification PCN
Die Attach Material Update 26/Aug/2015.pdf

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
Référence des frais d'expédition DHL et FedEx
Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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DN3145N8-G

Microchip Technology
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