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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleDN3525N8-G
DN3525N8-G Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

DN3525N8-G - Microchip Technology

Fabricant Modèle de produit
DN3525N8-G
Fabricant
Microchip Technology
Allelco Modèle de produit
32D-DN3525N8-G
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 250V 360MA TO243AA
Description détaillée
Emballage
TO-243AA
Fiche technique
DN3525N8-G.pdf
État RoHS
En stock: 67340

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques DN3525N8-G
Microchip Technology - DN3525N8-G Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Microchip Technology - DN3525N8-G

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Microchip Technology  
Vgs (th) (Max) @ Id -  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TO-243AA (SOT-89)  
Séries -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6Ohm @ 200mA, 0V  
Dissipation de puissance (max) 1.6W (Ta)  
Package / Boîte TO-243AA  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 350 pF @ 25 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET Depletion Mode  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 0V  
Tension drain-source (Vdss) 250 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 360mA (Tj)  
Numéro de produit de base DN3525  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Microchip Technology DN3525N8-G

Attributs du produit DN3525N8-G STP77N6F6 FCD3400N80Z DN3145N8-G
Modèle de produit DN3525N8-G STP77N6F6 FCD3400N80Z DN3145N8-G
Fabricant Microchip Technology STMicroelectronics onsemi Microchip Technology
Emballer Tape & Reel (TR) Tube Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Vgs (th) (Max) @ Id - 4V @ 250µA 4.5V @ 200µA -
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 360mA (Tj) 77A (Tc) 2A (Tc) 100mA (Tj)
Fonction FET Depletion Mode - - Depletion Mode
Type de montage Surface Mount Through Hole Surface Mount Surface Mount
Dissipation de puissance (max) 1.6W (Ta) 80W (Tc) 32W (Tc) 1.3W (Ta)
Package / Boîte TO-243AA TO-220-3 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-243AA
Tension drain-source (Vdss) 250 V 60 V 800 V 450 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6Ohm @ 200mA, 0V 7mOhm @ 38.5A, 10V 3.4Ohm @ 1A, 10V 60Ohm @ 100mA, 0V
Séries - DeepGATE™, STripFET™ VI SuperFET® II -
Numéro de produit de base DN3525 STP77N FCD3400 DN3145
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Package composant fournisseur TO-243AA (SOT-89) TO-220 TO-252AA TO-243AA (SOT-89)
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 350 pF @ 25 V 5300 pF @ 25 V 400 pF @ 100 V 120 pF @ 25 V
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 0V 10V 10V 0V
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V

Fiche technique DN3525N8-G PDF

Téléchargez DN3525N8-G PDF DataSheets et Documentation Microchip Technology pour DN3525N8-G - Microchip Technology.

Emballage PCN
Label and Packing Changes 23/Sep/2015.pdf Packing Changes 10/Oct/2016.pdf
Informations environnementales
Microchip CA Prop65.pdf Microchip REACH.pdf Microchip RoHS.pdf
Conception / spécification PCN
Die Attach Material Update 26/Aug/2015.pdf DN3525 30/May/2018.pdf

Mode de transport

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
Référence des frais d'expédition DHL et FedEx
Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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DN3525N8-G

Microchip Technology
32D-DN3525N8-G

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