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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleAPT58M50J
APT58M50J Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

APT58M50J - Microchip Technology

Fabricant Modèle de produit
APT58M50J
Fabricant
Microchip Technology
Allelco Modèle de produit
32D-APT58M50J
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 500V 58A ISOTOP
Description détaillée
Emballage
SOT-227-4, miniBLOC
Fiche technique
Power Products Catalog.pdf
État RoHS
En stock: 1440

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques APT58M50J
Microchip Technology - APT58M50J Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Microchip Technology - APT58M50J

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Microchip Technology  
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 2.5mA  
Vgs (Max) ±30V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur ISOTOP®  
Séries POWER MOS 8™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 65mOhm @ 42A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 540W (Tc)  
Package / Boîte SOT-227-4, miniBLOC  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Chassis Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 13500 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 340 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 500 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 58A (Tc)  
Numéro de produit de base APT58M50  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Microchip Technology APT58M50J

Attributs du produit APT58M50J APT58F50J APT56M60B2 APT56F60B2
Modèle de produit APT58M50J APT58F50J APT56M60B2 APT56F60B2
Fabricant Microchip Technology Microchip Technology Microchip Technology Microchip Technology
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 58A (Tc) 58A (Tc) 60A (Tc) 60A (Tc)
Dissipation de puissance (max) 540W (Tc) 540W (Tc) 1040W (Tc) 1040W (Tc)
Fonction FET - - - -
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V 10V
Type de montage Chassis Mount Chassis Mount Through Hole Through Hole
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 340 nC @ 10 V 340 nC @ 10 V 280 nC @ 10 V 280 nC @ 10 V
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Package composant fournisseur ISOTOP® ISOTOP® TO-247 [B] T-MAX™ [B2]
Package / Boîte SOT-227-4, miniBLOC SOT-227-4, miniBLOC TO-247-3 Variant TO-247-3 Variant
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 2.5mA 5V @ 2.5mA 5V @ 2.5mA 5V @ 2.5mA
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Séries POWER MOS 8™ POWER MOS 8™ POWER MOS 8™ POWER MOS 8™
Vgs (Max) ±30V ±30V ±30V ±30V
Numéro de produit de base APT58M50 APT58F50 APT56M60 APT56F60
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 13500 pF @ 25 V 13500 pF @ 25 V 11300 pF @ 25 V 11300 pF @ 25 V
Emballer Tube Tube Tube Tube
Tension drain-source (Vdss) 500 V 500 V 600 V 600 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 65mOhm @ 42A, 10V 65mOhm @ 42A, 10V 130mOhm @ 28A, 10V 110mOhm @ 28A, 10V

Fiche technique APT58M50J PDF

Téléchargez APT58M50J PDF DataSheets et Documentation Microchip Technology pour APT58M50J - Microchip Technology.

Informations environnementales
Microchip CA Prop65.pdf Microchip REACH.pdf Microchip RoHS.pdf
PCN Autre
Integration 13/May/2020.pdf
Fiche technique HTML
Power Products Catalog.pdf
Assemblage / origine PCN
Fab Site 27/Jul/2022.pdf

Mode de transport

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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Microchip Technology
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