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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleAPT58M50JCU3
APT58M50JCU3 Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

APT58M50JCU3 - Microsemi Corporation

Fabricant Modèle de produit
APT58M50JCU3
Fabricant
Microsemi
Allelco Modèle de produit
32D-APT58M50JCU3
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 500V 58A SOT227
Description détaillée
Emballage
SOT-227-4, miniBLOC
Fiche technique
APT58M50JCU3.pdf
En stock: 3750

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques APT58M50JCU3
Microsemi Corporation - APT58M50JCU3 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Microsemi Corporation - APT58M50JCU3

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Microsemi  
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 2.5mA  
Vgs (Max) ±30V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur SOT-227  
Séries POWER MOS 8™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 65mOhm @ 42A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 543W (Tc)  
Package / Boîte SOT-227-4, miniBLOC  
Emballer Bulk  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -40°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Chassis Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 10800 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 340 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 500 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 58A (Tc)  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Microsemi Corporation APT58M50JCU3

Attributs du produit APT58M50JCU3 APT58M50JCU2 APT58M50JU3 APT58F50J
Modèle de produit APT58M50JCU3 APT58M50JCU2 APT58M50JU3 APT58F50J
Fabricant Microsemi Corporation Microchip Technology Microchip Technology Microchip Technology
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 10800 pF @ 25 V 10800 pF @ 25 V 10800 pF @ 25 V 13500 pF @ 25 V
Emballer Bulk Bulk Bulk Tube
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 65mOhm @ 42A, 10V 65mOhm @ 42A, 10V 65mOhm @ 42A, 10V 65mOhm @ 42A, 10V
Fonction FET - - - -
Vgs (Max) ±30V ±30V ±30V ±30V
Type de montage Chassis Mount Chassis Mount Chassis Mount Chassis Mount
Tension drain-source (Vdss) 500 V 500 V 500 V 500 V
Package / Boîte SOT-227-4, miniBLOC SOT-227-4, miniBLOC SOT-227-4, miniBLOC SOT-227-4, miniBLOC
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 58A (Tc) 58A (Tc) 58A (Tc) 58A (Tc)
Package composant fournisseur SOT-227 SOT-227 SOT-227 ISOTOP®
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 340 nC @ 10 V 340 nC @ 10 V 340 nC @ 10 V 340 nC @ 10 V
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 2.5mA 5V @ 2.5mA 5V @ 2.5mA 5V @ 2.5mA
Température de fonctionnement -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Dissipation de puissance (max) 543W (Tc) 543W (Tc) 543W (Tc) 540W (Tc)
Séries POWER MOS 8™ POWER MOS 8™ POWER MOS 8™ POWER MOS 8™

Fiche technique APT58M50JCU3 PDF

Téléchargez APT58M50JCU3 PDF DataSheets et Documentation Microsemi Corporation pour APT58M50JCU3 - Microsemi Corporation.

Informations environnementales
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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
Référence des frais d'expédition DHL et FedEx
Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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APT58M50JCU3

Microsemi Corporation
32D-APT58M50JCU3

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