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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleAPT55M65JFLL
APT55M65JFLL Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

APT55M65JFLL - Microsemi Corporation

Fabricant Modèle de produit
APT55M65JFLL
Fabricant
Microsemi
Allelco Modèle de produit
32D-APT55M65JFLL
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 550V 63A ISOTOP
Description détaillée
Emballage
SOT-227-4, miniBLOC
Fiche technique
APT55M65JFLL.pdf
En stock: 5480

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques APT55M65JFLL
Microsemi Corporation - APT55M65JFLL Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Microsemi Corporation - APT55M65JFLL

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Microsemi  
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 5mA  
Vgs (Max) ±30V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur ISOTOP®  
Séries POWER MOS 7®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 65mOhm @ 31.5A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 595W (Tc)  
Package / Boîte SOT-227-4, miniBLOC  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Chassis Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 9165 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 205 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 550 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 63A (Tc)  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Microsemi Corporation APT55M65JFLL

Attributs du produit APT55M65JFLL APT5518BFLLG APT58M50JCU2 APT56F50L
Modèle de produit APT55M65JFLL APT5518BFLLG APT58M50JCU2 APT56F50L
Fabricant Microsemi Corporation Microsemi Corporation Microchip Technology Microchip Technology
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur ISOTOP® TO-247-3 SOT-227 TO-264 [L]
Fonction FET - - - -
Séries POWER MOS 7® POWER MOS 7® POWER MOS 8™ POWER MOS 8™
Package / Boîte SOT-227-4, miniBLOC TO-247-3 SOT-227-4, miniBLOC TO-264-3, TO-264AA
Type de montage Chassis Mount Through Hole Chassis Mount Through Hole
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 205 nC @ 10 V 67 nC @ 10 V 340 nC @ 10 V 220 nC @ 10 V
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V 10V
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 63A (Tc) 31A (Tc) 58A (Tc) 56A (Tc)
Vgs (Max) ±30V ±30V ±30V ±30V
Tension drain-source (Vdss) 550 V 550 V 500 V 500 V
Dissipation de puissance (max) 595W (Tc) 403W (Tc) 543W (Tc) 780W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 65mOhm @ 31.5A, 10V 180mOhm @ 15.5A, 10V 65mOhm @ 42A, 10V 100mOhm @ 28A, 10V
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Emballer Tube Tube Bulk Tube
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 9165 pF @ 25 V 3286 pF @ 25 V 10800 pF @ 25 V 8800 pF @ 25 V
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 5mA 5V @ 1mA 5V @ 2.5mA 5V @ 2.5mA

Fiche technique APT55M65JFLL PDF

Téléchargez APT55M65JFLL PDF DataSheets et Documentation Microsemi Corporation pour APT55M65JFLL - Microsemi Corporation.

Informations environnementales
Microchip CA Prop65.pdf Microchip REACH.pdf Microchip RoHS.pdf
Feuilles de données
APT55M65JFLL.pdf

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
Référence des frais d'expédition DHL et FedEx
Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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APT55M65JFLL

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32D-APT55M65JFLL

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