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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleCSD13202Q2
Texas Instruments
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

CSD13202Q2 - Texas Instruments

Fabricant Modèle de produit
CSD13202Q2
Fabricant
Texas Instruments
Allelco Modèle de produit
32D-CSD13202Q2
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 12V 22A 6WSON
Description détaillée
Emballage
6-WDFN Exposed Pad
Fiche technique
CSD13202Q2.pdf
État RoHS
En stock: 158960

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques CSD13202Q2
Texas Instruments - CSD13202Q2 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Texas Instruments - CSD13202Q2

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Texas Instruments  
Vgs (th) (Max) @ Id 1.1V @ 250µA  
Vgs (Max) ±8V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur 6-WSON (2x2)  
Séries NexFET™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 9.3mOhm @ 5A, 4.5V  
Dissipation de puissance (max) 2.7W (Ta)  
Package / Boîte 6-WDFN Exposed Pad  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 997 pF @ 6 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 6.6 nC @ 4.5 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 2.5V, 4.5V  
Tension drain-source (Vdss) 12 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 22A (Ta)  
Numéro de produit de base CSD13202  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Texas Instruments CSD13202Q2

Attributs du produit CSD13202Q2 CSD13381F4T CSD13306WT CSD13383F4
Modèle de produit CSD13202Q2 CSD13381F4T CSD13306WT CSD13383F4
Fabricant Texas Instruments Texas Instruments Texas Instruments Texas Instruments
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 2.5V, 4.5V 1.8V, 4.5V 2.5V, 4.5V 2.5V, 4.5V
Fonction FET - - - -
Séries NexFET™ FemtoFET™ NexFET™ FemtoFET™
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Dissipation de puissance (max) 2.7W (Ta) 500mW (Ta) 1.9W (Ta) 500mW (Ta)
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Package composant fournisseur 6-WSON (2x2) 3-PICOSTAR 6-DSBGA (1x1.5) 3-PICOSTAR
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (th) (Max) @ Id 1.1V @ 250µA 1.1V @ 250µA 1.3V @ 250µA 1.25V @ 250µA
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Numéro de produit de base CSD13202 CSD13381F4 CSD13306 CSD13383
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 6.6 nC @ 4.5 V 1.4 nC @ 4.5 V 11.2 nC @ 4.5 V 2.6 nC @ 4.5 V
Package / Boîte 6-WDFN Exposed Pad 3-XFDFN 6-UFBGA, DSBGA 3-XFDFN
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Vgs (Max) ±8V 8V ±10V ±10V
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 22A (Ta) 2.1A (Ta) 3.5A (Ta) 2.9A (Ta)
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 997 pF @ 6 V 200 pF @ 6 V 1370 pF @ 6 V 291 pF @ 6 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 9.3mOhm @ 5A, 4.5V 180mOhm @ 500mA, 4.5V 10.2mOhm @ 1.5A, 4.5V 44mOhm @ 500mA, 4.5V
Tension drain-source (Vdss) 12 V 12 V 12 V 12 V

Fiche technique CSD13202Q2 PDF

Téléchargez CSD13202Q2 PDF DataSheets et Documentation Texas Instruments pour CSD13202Q2 - Texas Instruments.

Conception / spécification PCN
Marking Standardization 29/Jan/2015.pdf
Assemblage / origine PCN
Mult Devices 23/Oct/2017.pdf

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Amérique États-Unis 5
Brésil 7
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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