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AccueilCentre des produitsCircuits intégrés (ci)MémoireBQ4013LYMA-70N
BQ4013LYMA-70N Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

BQ4013LYMA-70N - Texas Instruments

Fabricant Modèle de produit
BQ4013LYMA-70N
Fabricant
Texas Instruments
Allelco Modèle de produit
32D-BQ4013LYMA-70N
Modèle ECAD
Description des pièces
IC NVSRAM 1MBIT 70NS 32DIP
Description détaillée
Emballage
32-DIP Module (0.610", 15.49mm)
Fiche technique
BQ4013LYMA-70N.pdf
État RoHS
En stock: 1583

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques BQ4013LYMA-70N
Texas Instruments - BQ4013LYMA-70N Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Texas Instruments - BQ4013LYMA-70N

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Texas Instruments  
Écrire le temps de cycle - Word, Page 70ns  
Tension - Alimentation 3V ~ 3.6V  
La technologie NVSRAM (Non-Volatile SRAM)  
Package composant fournisseur 32-DIP Module (18.42x42.8)  
Séries -  
Package / Boîte 32-DIP Module (0.610", 15.49mm)  
Emballer Tube  
Température de fonctionnement -40°C ~ 85°C (TA)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Type de montage Through Hole  
Type de mémoire Non-Volatile  
Taille mémoire 1Mbit  
Organisation de mémoire 128K x 8  
Interface mémoire Parallel  
Format de mémoire NVSRAM  
Numéro de produit de base BQ4013  
Temps d'accès 70 ns  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Texas Instruments BQ4013LYMA-70N

Attributs du produit BQ4013LYMA-70N BQ4013YMA-70N BQ4010YMA-85 BQ4010MA-70
Modèle de produit BQ4013LYMA-70N BQ4013YMA-70N BQ4010YMA-85 BQ4010MA-70
Fabricant Texas Instruments Texas Instruments Texas Instruments Texas Instruments
Écrire le temps de cycle - Word, Page 70ns 70ns 85ns 70ns
Taille mémoire 1Mbit 1Mbit 64Kbit 64Kbit
Type de montage Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
La technologie NVSRAM (Non-Volatile SRAM) NVSRAM (Non-Volatile SRAM) NVSRAM (Non-Volatile SRAM) NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
Package composant fournisseur 32-DIP Module (18.42x42.8) 32-DIP Module (18.42x42.8) 28-DIP Module (18.42x37.72) 28-DIP Module (18.42x37.72)
Emballer Tube Tube Tube Tube
Format de mémoire NVSRAM NVSRAM NVSRAM NVSRAM
Température de fonctionnement -40°C ~ 85°C (TA) -40°C ~ 85°C (TA) 0°C ~ 70°C (TA) 0°C ~ 70°C (TA)
Interface mémoire Parallel Parallel Parallel Parallel
Organisation de mémoire 128K x 8 128K x 8 8K x 8 8K x 8
Numéro de produit de base BQ4013 BQ4013 BQ4010 BQ4010
Séries - - - -
Package / Boîte 32-DIP Module (0.610", 15.49mm) 32-DIP Module (0.610', 15.49mm) 28-DIP Module (0.61", 15.49mm) 28-DIP Module (0.61", 15.49mm)
Tension - Alimentation 3V ~ 3.6V 4.5V ~ 5.5V 4.5V ~ 5.5V 4.75V ~ 5.5V
Temps d'accès 70 ns 70 ns 85 ns 70 ns
Type de mémoire Non-Volatile Non-Volatile Non-Volatile Non-Volatile

Fiche technique BQ4013LYMA-70N PDF

Téléchargez BQ4013LYMA-70N PDF DataSheets et Documentation Texas Instruments pour BQ4013LYMA-70N - Texas Instruments.

PCN Obsolescence / EOL
Multiple Devices 04/Jun/2013.pdf

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
Référence des frais d'expédition DHL et FedEx
Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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