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AccueilCentre des produitsCircuits intégrés (ci)MémoireBQ4010YMA-85
BQ4010YMA-85 Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.
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BQ4010YMA-85 - Texas Instruments

Fabricant Modèle de produit
BQ4010YMA-85
Fabricant
Texas Instruments
Allelco Modèle de produit
32D-BQ4010YMA-85
Modèle ECAD
Description des pièces
IC NVSRAM 64KBIT PARALLEL 28DIP
Emballage
28-DIP Module (0.61", 15.49mm)
Fiche technique
BQ4010YMA-85.pdf
État RoHS
Notre certification
En stock: 7610

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Quantité
OPTION EXPRESS
Mode de paiement
Notre certification

Spécifications

Spécifications techniques BQ4010YMA-85
Texas Instruments - BQ4010YMA-85 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Texas Instruments - BQ4010YMA-85

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Texas Instruments  
Écrire le temps de cycle - Word, Page 85ns  
Tension - Alimentation 4.5V ~ 5.5V  
La technologie NVSRAM (Non-Volatile SRAM)  
Package composant fournisseur 28-DIP Module (18.42x37.72)  
Séries -  
Package / Boîte 28-DIP Module (0.61", 15.49mm)  
Emballer Tube  
Température de fonctionnement 0°C ~ 70°C (TA)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Type de montage Through Hole  
Type de mémoire Non-Volatile  
Taille mémoire 64Kbit  
Organisation de mémoire 8K x 8  
Interface mémoire Parallel  
Format de mémoire NVSRAM  
Numéro de produit de base BQ4010  
Temps d'accès 85 ns  

Classifications environnementales et d'exportation

ATTRIBUT LA DESCRIPTION
État RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Statut de portée REACH Unaffected
ECCN EAR99
HTSUS 8542.32.0041

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Texas Instruments BQ4010YMA-85

Attributs du produit BQ4010YMA-85 BQ4013YMA-70N BQ4010MA-150 BQ4013YMA-70
Modèle de produit BQ4010YMA-85 BQ4013YMA-70N BQ4010MA-150 BQ4013YMA-70
Fabricant Texas Instruments Texas Instruments Texas Instruments Texas Instruments
Type de montage Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
La technologie NVSRAM (Non-Volatile SRAM) NVSRAM (Non-Volatile SRAM) NVSRAM (Non-Volatile SRAM) NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
Séries - - - -
Taille mémoire 64Kbit 1Mbit 64Kbit 1Mbit
Package composant fournisseur 28-DIP Module (18.42x37.72) 32-DIP Module (18.42x42.8) 28-DIP Module (18.42x37.72) 32-DIP Module (18.42x42.8)
Tension - Alimentation 4.5V ~ 5.5V 4.5V ~ 5.5V 4.75V ~ 5.5V 4.5V ~ 5.5V
Type de mémoire Non-Volatile Non-Volatile Non-Volatile Non-Volatile
Écrire le temps de cycle - Word, Page 85ns 70ns 150ns 70ns
Emballer Tube Tube Tube Tube
Format de mémoire NVSRAM NVSRAM NVSRAM NVSRAM
Package / Boîte 28-DIP Module (0.61", 15.49mm) 32-DIP Module (0.610', 15.49mm) 28-DIP Module (0.61", 15.49mm) 32-DIP Module (0.610', 15.49mm)
Temps d'accès 85 ns 70 ns 150 ns 70 ns
Interface mémoire Parallel Parallel Parallel Parallel
Numéro de produit de base BQ4010 BQ4013 BQ4010 BQ4013
Température de fonctionnement 0°C ~ 70°C (TA) -40°C ~ 85°C (TA) 0°C ~ 70°C (TA) 0°C ~ 70°C (TA)
Organisation de mémoire 8K x 8 128K x 8 8K x 8 128K x 8

Fiche technique BQ4010YMA-85 PDF

Téléchargez BQ4010YMA-85 PDF DataSheets et Documentation Texas Instruments pour BQ4010YMA-85 - Texas Instruments.

PCN Obsolescence / EOL
Multiple Devices 04/Jun/2013.pdf

Mode de transport

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méthode de livraison

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
Référence des frais d'expédition DHL et FedEx
Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Note:
Le tableau ci-dessus est pour référence uniquement.Il peut y avoir un certain biais de données pour les facteurs incontrôlables.
Contactez nous si vous avez des questions.

Support de paiement

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    +00852 9146 4856

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Texas Instruments
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