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AccueilCentre des produitsCircuits intégrés (ci)MémoireBQ4011MA-150
BQ4011MA-150 Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

BQ4011MA-150 - Texas Instruments

Fabricant Modèle de produit
BQ4011MA-150
Fabricant
Texas Instruments
Allelco Modèle de produit
32D-BQ4011MA-150
Modèle ECAD
Description des pièces
IC NVSRAM 256KBIT PARALLEL 28DIP
Description détaillée
Emballage
28-DIP Module (0.61", 15.49mm)
Fiche technique
BQ4011MA-150.pdf
État RoHS
En stock: 5310

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques BQ4011MA-150
Texas Instruments - BQ4011MA-150 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Texas Instruments - BQ4011MA-150

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Texas Instruments  
Écrire le temps de cycle - Word, Page 150ns  
Tension - Alimentation 4.75V ~ 5.5V  
La technologie NVSRAM (Non-Volatile SRAM)  
Package composant fournisseur 28-DIP Module (18.42x37.72)  
Séries -  
Package / Boîte 28-DIP Module (0.61", 15.49mm)  
Emballer Tube  
Température de fonctionnement 0°C ~ 70°C (TA)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Type de montage Through Hole  
Type de mémoire Non-Volatile  
Taille mémoire 256Kbit  
Organisation de mémoire 32K x 8  
Interface mémoire Parallel  
Format de mémoire NVSRAM  
Numéro de produit de base BQ4011  
Temps d'accès 150 ns  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Texas Instruments BQ4011MA-150

Attributs du produit BQ4011MA-150 BQ4010YMA-85 BQ4011YMA-150 BQ4013LYMA-70N
Modèle de produit BQ4011MA-150 BQ4010YMA-85 BQ4011YMA-150 BQ4013LYMA-70N
Fabricant Texas Instruments Texas Instruments Texas Instruments Texas Instruments
Température de fonctionnement 0°C ~ 70°C (TA) 0°C ~ 70°C (TA) 0°C ~ 70°C (TA) -40°C ~ 85°C (TA)
Séries - - - -
Type de mémoire Non-Volatile Non-Volatile Non-Volatile Non-Volatile
Écrire le temps de cycle - Word, Page 150ns 85ns 150ns 70ns
Type de montage Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Emballer Tube Tube Tube Tube
Organisation de mémoire 32K x 8 8K x 8 32K x 8 128K x 8
Format de mémoire NVSRAM NVSRAM NVSRAM NVSRAM
Interface mémoire Parallel Parallel Parallel Parallel
Temps d'accès 150 ns 85 ns 150 ns 70 ns
Tension - Alimentation 4.75V ~ 5.5V 4.5V ~ 5.5V 4.5V ~ 5.5V 3V ~ 3.6V
Package / Boîte 28-DIP Module (0.61", 15.49mm) 28-DIP Module (0.61", 15.49mm) 28-DIP Module (0.61", 15.49mm) 32-DIP Module (0.610", 15.49mm)
La technologie NVSRAM (Non-Volatile SRAM) NVSRAM (Non-Volatile SRAM) NVSRAM (Non-Volatile SRAM) NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
Taille mémoire 256Kbit 64Kbit 256Kbit 1Mbit
Package composant fournisseur 28-DIP Module (18.42x37.72) 28-DIP Module (18.42x37.72) 28-DIP Module (18.42x37.72) 32-DIP Module (18.42x42.8)
Numéro de produit de base BQ4011 BQ4010 BQ4011 BQ4013

Fiche technique BQ4011MA-150 PDF

Téléchargez BQ4011MA-150 PDF DataSheets et Documentation Texas Instruments pour BQ4011MA-150 - Texas Instruments.

PCN Obsolescence / EOL
Multiple Devices 04/Jun/2013.pdf

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
Référence des frais d'expédition DHL et FedEx
Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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