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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleRZR020P01TL
Rohm Semiconductor
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

RZR020P01TL - Rohm Semiconductor

Fabricant Modèle de produit
RZR020P01TL
Fabricant
LAPIS Technology
Allelco Modèle de produit
32D-RZR020P01TL
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET P-CH 12V 2A TSMT3
Description détaillée
Emballage
SC-96
Fiche technique
RZR020P01TL.pdf
État RoHS
En stock: 150930

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques RZR020P01TL
Rohm Semiconductor - RZR020P01TL Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Rohm Semiconductor - RZR020P01TL

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant LAPIS Technology  
Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 1mA  
Vgs (Max) ±10V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TSMT3  
Séries -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 105mOhm @ 2A, 4.5V  
Dissipation de puissance (max) 1W (Ta)  
Package / Boîte SC-96  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 770 pF @ 6 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 6.5 nC @ 4.5 V  
type de FET P-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 1.5V, 4.5V  
Tension drain-source (Vdss) 12 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 2A (Ta)  
Numéro de produit de base RZR020  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Rohm Semiconductor RZR020P01TL

Attributs du produit RZR020P01TL IXFK52N60Q2 NTR2101PT1G AON6144
Modèle de produit RZR020P01TL IXFK52N60Q2 NTR2101PT1G AON6144
Fabricant Rohm Semiconductor IXYS onsemi Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Fonction FET - - - -
Package composant fournisseur TSMT3 TO-264AA (IXFK) SOT-23-3 (TO-236) 8-DFN (5x6)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 1.5V, 4.5V 10V 1.8V, 4.5V 4.5V, 10V
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Package / Boîte SC-96 TO-264-3, TO-264AA TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 8-PowerSMD, Flat Leads
Dissipation de puissance (max) 1W (Ta) 735W (Tc) 960mW (Ta) 78W (Tc)
Emballer Tape & Reel (TR) Tube Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Température de fonctionnement 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
type de FET P-Channel N-Channel P-Channel N-Channel
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 2A (Ta) 52A (Tc) 3.7A (Ta) 100A (Tc)
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 770 pF @ 6 V 6800 pF @ 25 V 1173 pF @ 4 V 3780 pF @ 20 V
Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 1mA 4.5V @ 8mA 1V @ 250µA 2.4V @ 250µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs 105mOhm @ 2A, 4.5V 115mOhm @ 500mA, 10V 52mOhm @ 3.5A, 4.5V 2.4mOhm @ 20A, 10V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 6.5 nC @ 4.5 V 198 nC @ 10 V 15 nC @ 4.5 V 70 nC @ 10 V
Séries - HiPerFET™, Q2 Class - -
Vgs (Max) ±10V ±30V ±8V ±20V
Type de montage Surface Mount Through Hole Surface Mount Surface Mount
Tension drain-source (Vdss) 12 V 600 V 8 V 40 V
Numéro de produit de base RZR020 IXFK52 NTR2101 AON61

Fiche technique RZR020P01TL PDF

Téléchargez RZR020P01TL PDF DataSheets et Documentation Rohm Semiconductor pour RZR020P01TL - Rohm Semiconductor.

Conception / spécification PCN
TSMT Package Updates 24/Dec/2014.pdf

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Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
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Océanie Australie 6
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Asie Inde 4
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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