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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleBSF134N10NJ3G
Infineon Technologies
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

BSF134N10NJ3G - Infineon Technologies

Fabricant Modèle de produit
BSF134N10NJ3G
Fabricant
Infineon Technologies
Allelco Modèle de produit
32D-BSF134N10NJ3G
Modèle ECAD
Description des pièces
BSF134N10 - 12V-300V N-CHANNEL P
Description détaillée
Emballage
-
Fiche technique
BSF134N10NJ3G.pdf
En stock: 44590

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques BSF134N10NJ3G
Infineon Technologies - BSF134N10NJ3G Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Infineon Technologies - BSF134N10NJ3G

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Infineon Technologies  
Vgs (th) (Max) @ Id -  
Vgs (Max) -  
La technologie -  
Package composant fournisseur -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs -  
Dissipation de puissance (max) -  
Package / Boîte -  
Température de fonctionnement -  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Type de montage -  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds -  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs -  
type de FET -  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) -  
Tension drain-source (Vdss) -  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C -  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Infineon Technologies BSF134N10NJ3G

Attributs du produit BSF134N10NJ3G BSF134N10NJ3GXUMA1 FDD6676S AOTF10N90
Modèle de produit BSF134N10NJ3G BSF134N10NJ3GXUMA1 FDD6676S AOTF10N90
Fabricant Infineon Technologies Infineon Technologies Fairchild Semiconductor Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Type de montage - Surface Mount Surface Mount Through Hole
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) - 6V, 10V 4.5V, 10V 10V
Fonction FET - - - -
Rds On (Max) @ Id, Vgs - 13.4mOhm @ 30A, 10V 6mOhm @ 16A, 10V 980mOhm @ 5A, 10V
Package composant fournisseur - MG-WDSON-2, CanPAK M™ TO-252, (D-Pak) TO-220F
Tension drain-source (Vdss) - 100 V 30 V 900 V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs - 30 nC @ 10 V 58 nC @ 5 V 75 nC @ 10 V
Package / Boîte - 3-WDSON TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-220-3 Full Pack
La technologie - MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) - ±20V ±16V ±30V
type de FET - N-Channel N-Channel N-Channel
Température de fonctionnement - -40°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds - 2300 pF @ 50 V 4770 pF @ 15 V 3160 pF @ 25 V
Dissipation de puissance (max) - 2.2W (Ta), 43W (Tc) 1.3W (Ta) 50W (Tc)
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C - 9A (Ta), 40A (Tc) 78A (Ta) 10A (Tc)
Vgs (th) (Max) @ Id - 3.5V @ 40µA 3V @ 1mA 4.5V @ 250µA

Mode de transport

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Pays communs Référence du temps logistique
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Amérique États-Unis 5
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Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
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Moyen-Orient Israël 6
Référence des frais d'expédition DHL et FedEx
Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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