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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleRZR040P01TL
Rohm Semiconductor
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

RZR040P01TL - Rohm Semiconductor

Fabricant Modèle de produit
RZR040P01TL
Fabricant
LAPIS Technology
Allelco Modèle de produit
32D-RZR040P01TL
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET P-CH 12V 4A TSMT3
Description détaillée
Emballage
SC-96
Fiche technique
RZR040P01TL.pdf
État RoHS
En stock: 148540

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques RZR040P01TL
Rohm Semiconductor - RZR040P01TL Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Rohm Semiconductor - RZR040P01TL

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant LAPIS Technology  
Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 1mA  
Vgs (Max) ±10V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TSMT3  
Séries -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 30mOhm @ 4A, 4.5V  
Dissipation de puissance (max) 1W (Ta)  
Package / Boîte SC-96  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 2350 pF @ 6 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 30 nC @ 4.5 V  
type de FET P-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 1.5V, 4.5V  
Tension drain-source (Vdss) 12 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 4A (Ta)  
Numéro de produit de base RZR040  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Rohm Semiconductor RZR040P01TL

Attributs du produit RZR040P01TL MMDF3N02HDR2G IRF7451 STS9NF3LL
Modèle de produit RZR040P01TL MMDF3N02HDR2G IRF7451 STS9NF3LL
Fabricant Rohm Semiconductor onsemi Infineon Technologies STMicroelectronics
Séries - - HEXFET® STripFET™ II
type de FET P-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 1mA 2V @ 250µA 5.5V @ 250µA 1V @ 250µA
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 2350 pF @ 6 V 630 pF @ 16 V 990 pF @ 25 V 800 pF @ 25 V
Fonction FET - - - -
Tension drain-source (Vdss) 12 V 20 V 150 V 30 V
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tube Tape & Reel (TR)
Numéro de produit de base RZR040 MMDF3 - STS9NF
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 30 nC @ 4.5 V 18 nC @ 10 V 41 nC @ 10 V 17 nC @ 5 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 30mOhm @ 4A, 4.5V 90mOhm @ 3A, 10V 90mOhm @ 2.2A, 10V 19mOhm @ 4.5A, 10V
Package composant fournisseur TSMT3 8-SOIC 8-SO 8-SOIC
Package / Boîte SC-96 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 1.5V, 4.5V 4.5V, 10V 10V 4.5V, 10V
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Dissipation de puissance (max) 1W (Ta) 2W (Ta) 2.5W (Ta) 2.5W (Tc)
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 4A (Ta) 3.8A (Ta) 3.6A (Ta) 9A (Tc)
Température de fonctionnement 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Vgs (Max) ±10V ±20V ±30V ±16V

Fiche technique RZR040P01TL PDF

Téléchargez RZR040P01TL PDF DataSheets et Documentation Rohm Semiconductor pour RZR040P01TL - Rohm Semiconductor.

Conception / spécification PCN
TSMT Package Updates 24/Dec/2014.pdf

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Asie Inde 4
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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