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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleRZQ050P01TR
Rohm Semiconductor
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

RZQ050P01TR - Rohm Semiconductor

Fabricant Modèle de produit
RZQ050P01TR
Fabricant
LAPIS Technology
Allelco Modèle de produit
32D-RZQ050P01TR
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET P-CH 12V 5A TSMT6
Description détaillée
Emballage
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Fiche technique
RZQ050P01.pdf
État RoHS
En stock: 37940

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques RZQ050P01TR
Rohm Semiconductor - RZQ050P01TR Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Rohm Semiconductor - RZQ050P01TR

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant LAPIS Technology  
Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 1mA  
Vgs (Max) ±10V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TSMT6 (SC-95)  
Séries -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 26mOhm @ 5A, 4.5V  
Dissipation de puissance (max) 600mW (Ta)  
Package / Boîte SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 2850 pF @ 6 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 35 nC @ 4.5 V  
type de FET P-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 1.5V, 4.5V  
Tension drain-source (Vdss) 12 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 5A (Ta)  
Numéro de produit de base RZQ050  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Rohm Semiconductor RZQ050P01TR

Attributs du produit RZQ050P01TR IXFT32N50 STFI28N60M2 FDD5N50NZFTM
Modèle de produit RZQ050P01TR IXFT32N50 STFI28N60M2 FDD5N50NZFTM
Fabricant Rohm Semiconductor IXYS STMicroelectronics onsemi
Emballer Tape & Reel (TR) Tube Tube Tape & Reel (TR)
Type de montage Surface Mount Surface Mount Through Hole Surface Mount
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Dissipation de puissance (max) 600mW (Ta) 360W (Tc) 30W (Tc) 62.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 26mOhm @ 5A, 4.5V 150mOhm @ 15A, 10V 150mOhm @ 11A, 10V 1.75Ohm @ 1.85A, 10V
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 1.5V, 4.5V 10V 10V 10V
Vgs (Max) ±10V ±20V ±25V ±25V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 2850 pF @ 6 V 5700 pF @ 25 V 1440 pF @ 100 V 485 pF @ 25 V
type de FET P-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Package composant fournisseur TSMT6 (SC-95) TO-268AA I2PAKFP (TO-281) TO-252AA
Tension drain-source (Vdss) 12 V 500 V 600 V 500 V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 35 nC @ 4.5 V 300 nC @ 10 V 36 nC @ 10 V 12 nC @ 10 V
Fonction FET - - - -
Température de fonctionnement 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Séries - HiPerFET™ MDmesh™ II Plus UniFET-II™
Package / Boîte SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA TO-262-3 Full Pack, I²Pak TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Numéro de produit de base RZQ050 IXFT32 STFI28N FDD5N50
Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 1mA 4V @ 4mA 4V @ 250µA 5V @ 250µA
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 5A (Ta) 32A (Tc) 22A (Tc) 3.7A (Tc)

Fiche technique RZQ050P01TR PDF

Téléchargez RZQ050P01TR PDF DataSheets et Documentation Rohm Semiconductor pour RZQ050P01TR - Rohm Semiconductor.

Conception / spécification PCN
TSMT Package Updates 24/Dec/2014.pdf
Feuilles de données
RZQ050P01.pdf

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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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