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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleRZQ045P01TR
Rohm Semiconductor
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

RZQ045P01TR - Rohm Semiconductor

Fabricant Modèle de produit
RZQ045P01TR
Fabricant
LAPIS Technology
Allelco Modèle de produit
32D-RZQ045P01TR
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET P-CH 12V 4.5A TSMT6
Description détaillée
Emballage
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Fiche technique
RZQ045P01 ~.pdf
État RoHS
En stock: 143570

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques RZQ045P01TR
Rohm Semiconductor - RZQ045P01TR Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Rohm Semiconductor - RZQ045P01TR

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant LAPIS Technology  
Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 1mA  
Vgs (Max) ±10V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TSMT6 (SC-95)  
Séries -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 35mOhm @ 4.5A, 4.5V  
Dissipation de puissance (max) 1.25W (Ta)  
Package / Boîte SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 2450 pF @ 6 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 31 nC @ 4.5 V  
type de FET P-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 1.5V, 4.5V  
Tension drain-source (Vdss) 12 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 4.5A (Ta)  
Numéro de produit de base RZQ045  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Rohm Semiconductor RZQ045P01TR

Attributs du produit RZQ045P01TR IRF6619TRPBF STI24N60M2 IRFHM831TR2PBF
Modèle de produit RZQ045P01TR IRF6619TRPBF STI24N60M2 IRFHM831TR2PBF
Fabricant Rohm Semiconductor Infineon Technologies STMicroelectronics Infineon Technologies
Package composant fournisseur TSMT6 (SC-95) DIRECTFET™ MX I2PAK (TO-262) PQFN (3x3)
Vgs (Max) ±10V ±20V ±25V -
Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 1mA 2.45V @ 250µA 4V @ 250µA 2.35V @ 25µA
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 1.5V, 4.5V 4.5V, 10V 10V -
Type de montage Surface Mount Surface Mount Through Hole Surface Mount
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tube Cut Tape (CT)
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 4.5A (Ta) 30A (Ta), 150A (Tc) 18A (Tc) 14A (Ta), 40A (Tc)
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 31 nC @ 4.5 V 57 nC @ 4.5 V 29 nC @ 10 V 16 nC @ 10 V
Dissipation de puissance (max) 1.25W (Ta) 2.8W (Ta), 89W (Tc) 150W (Tc) -
Séries - HEXFET® MDmesh™ II Plus -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 35mOhm @ 4.5A, 4.5V 2.2mOhm @ 30A, 10V 190mOhm @ 9A, 10V 7.8mOhm @ 12A, 10V
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
type de FET P-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Numéro de produit de base RZQ045 - STI24 -
Package / Boîte SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 DirectFET™ Isometric MX TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA 8-PowerTDFN
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 2450 pF @ 6 V 5040 pF @ 10 V 1060 pF @ 100 V 1050 pF @ 25 V
Fonction FET - - - -
Tension drain-source (Vdss) 12 V 20 V 600 V 30 V
Température de fonctionnement 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -

Fiche technique RZQ045P01TR PDF

Téléchargez RZQ045P01TR PDF DataSheets et Documentation Rohm Semiconductor pour RZQ045P01TR - Rohm Semiconductor.

Conception / spécification PCN
TSMT Package Updates 24/Dec/2014.pdf
Feuilles de données
RZQ045P01 ~.pdf

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Amérique États-Unis 5
Brésil 7
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Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
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Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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