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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleRSY160P05TL
Rohm Semiconductor
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

RSY160P05TL - Rohm Semiconductor

Fabricant Modèle de produit
RSY160P05TL
Fabricant
LAPIS Technology
Allelco Modèle de produit
32D-RSY160P05TL
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET P-CH 45V 16A TCPT3
Description détaillée
Emballage
3-SMD, Flat Leads
Fiche technique
RSY160P05TL.pdf
État RoHS
En stock: 34363

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques RSY160P05TL
Rohm Semiconductor - RSY160P05TL Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Rohm Semiconductor - RSY160P05TL

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant LAPIS Technology  
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TCPT3  
Séries -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 50mOhm @ 16A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 20W (Tc)  
Package / Boîte 3-SMD, Flat Leads  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 2150 pF @ 10 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 25.5 nC @ 5 V  
type de FET P-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4V, 10V  
Tension drain-source (Vdss) 45 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 16A (Ta)  
Numéro de produit de base RSY160  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Rohm Semiconductor RSY160P05TL

Attributs du produit RSY160P05TL IRFP250 RSY200N05TL IXFN210N30X3
Modèle de produit RSY160P05TL IRFP250 RSY200N05TL IXFN210N30X3
Fabricant Rohm Semiconductor IXYS Rohm Semiconductor IXYS
Numéro de produit de base RSY160 IRFP25 RSY200 IXFN210
Séries - - - HiPerFET™, Ultra X3
Type de montage Surface Mount Through Hole Surface Mount Chassis Mount
Package composant fournisseur TCPT3 TO-247AD TCPT3 SOT-227B
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 16A (Ta) 30A (Tc) 20A (Ta) 210A (Tc)
Package / Boîte 3-SMD, Flat Leads TO-247-3 3-SMD, Flat Leads SOT-227-4, miniBLOC
Fonction FET - - - -
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 2150 pF @ 10 V 2970 pF @ 25 V - 24200 pF @ 25 V
Dissipation de puissance (max) 20W (Tc) 190W (Tc) 20W (Ta) 695W (Tc)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4V, 10V 10V 4.5V, 10V 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA 4V @ 250µA - 4.5V @ 8mA
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (Vdss) 45 V 200 V 45 V 300 V
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 25.5 nC @ 5 V 140 nC @ 10 V - 375 nC @ 10 V
Emballer Tape & Reel (TR) Tube Tape & Reel (TR) Tube
type de FET P-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 50mOhm @ 16A, 10V 85mOhm @ 18A, 10V - 4.6mOhm @ 105A, 10V
Température de fonctionnement 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)

Fiche technique RSY160P05TL PDF

Téléchargez RSY160P05TL PDF DataSheets et Documentation Rohm Semiconductor pour RSY160P05TL - Rohm Semiconductor.

PCN Obsolescence / EOL
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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