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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleTK100S04N1L,LQ
TK100S04N1L,LQ Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

TK100S04N1L,LQ - Toshiba Semiconductor and Storage

Fabricant Modèle de produit
TK100S04N1L,LQ
Fabricant
TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
Allelco Modèle de produit
32D-TK100S04N1L,LQ
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 40V 100A DPAK
Description détaillée
Emballage
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Fiche technique
TK100S04N1L,LQ.pdf
État RoHS
En stock: 28942

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques TK100S04N1L,LQ
Toshiba Semiconductor and Storage - TK100S04N1L,LQ Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Toshiba Semiconductor and Storage - TK100S04N1L,LQ

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)  
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 500µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur DPAK+  
Séries U-MOSVIII-H  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.3mOhm @ 50A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 100W (Tc)  
Package / Boîte TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement 175°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 5490 pF @ 10 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 76 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V  
Tension drain-source (Vdss) 40 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 100A (Ta)  
Numéro de produit de base TK100S04  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Toshiba Semiconductor and Storage TK100S04N1L,LQ

Attributs du produit TK100S04N1L,LQ TK100L60WVQ(O) TK100G06N1 TK10202AM9G0B
Modèle de produit TK100S04N1L,LQ TK100L60WVQ(O) TK100G06N1 TK10202AM9G0B
Fabricant Toshiba Semiconductor and Storage TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Stora TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Stora Murata Electronics
Dissipation de puissance (max) 100W (Tc) - - -
Package composant fournisseur DPAK+ - - -
Fonction FET - - - -
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V - - -
Température de fonctionnement 175°C (TJ) - - -
Tension drain-source (Vdss) 40 V - - -
Emballer Tape & Reel (TR) - - -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.3mOhm @ 50A, 10V - - -
Package / Boîte TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 - - -
Numéro de produit de base TK100S04 - - -
Vgs (Max) ±20V - - -
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 100A (Ta) - - -
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 76 nC @ 10 V - - -
type de FET N-Channel - - -
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 5490 pF @ 10 V - - -
Séries U-MOSVIII-H - - -
La technologie MOSFET (Metal Oxide) - - -
Type de montage Surface Mount - - -
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 500µA - - -

Mode de transport

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
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Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
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Moyen-Orient Israël 6
Référence des frais d'expédition DHL et FedEx
Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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TK100S04N1L,LQ

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