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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleSUM80090E-GE3
SUM80090E-GE3 Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

SUM80090E-GE3 - Vishay Siliconix

Fabricant Modèle de produit
SUM80090E-GE3
Fabricant
Vishay / Siliconix
Allelco Modèle de produit
32D-SUM80090E-GE3
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 150V 128A D2PAK
Description détaillée
Emballage
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Fiche technique
SUM80090E.pdf
État RoHS
En stock: 18477

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques SUM80090E-GE3
Vishay Siliconix - SUM80090E-GE3 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Vishay Siliconix - SUM80090E-GE3

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Vishay / Siliconix  
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur D²PAK (TO-263)  
Séries ThunderFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 9mOhm @ 30A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 375W (Tc)  
Package / Boîte TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 3425 pF @ 75 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 95 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 7.5V, 10V  
Tension drain-source (Vdss) 150 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 128A (Tc)  
Numéro de produit de base SUM80090  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Vishay Siliconix SUM80090E-GE3

Attributs du produit SUM80090E-GE3 SUM90140E-GE3 SUM85N15-19-E3 SUM75N06-09L-E3
Modèle de produit SUM80090E-GE3 SUM90140E-GE3 SUM85N15-19-E3 SUM75N06-09L-E3
Fabricant Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Package / Boîte TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 7.5V, 10V 7.5V, 10V 10V -
Dissipation de puissance (max) 375W (Tc) 375W (Tc) 3.75W (Ta), 375W (Tc) -
Séries ThunderFET® ThunderFET® TrenchFET® -
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -
Fonction FET - - - -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 9mOhm @ 30A, 10V 17mOhm @ 30A, 10V 19mOhm @ 30A, 10V 9.3mOhm @ 30A, 10V
Tension drain-source (Vdss) 150 V 200 V 150 V 60 V
Package composant fournisseur D²PAK (TO-263) D²PAK (TO-263) TO-263 (D²Pak) TO-263 (D²Pak)
Numéro de produit de base SUM80090 SUM90140 SUM85 SUM75
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V -
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 128A (Tc) 90A (Tc) 85A (Tc) 90A (Tc)
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 95 nC @ 10 V 96 nC @ 10 V 110 nC @ 10 V 75 nC @ 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 3425 pF @ 75 V 4132 pF @ 100 V 4750 pF @ 25 V 2400 pF @ 25 V
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 3V @ 250µA
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount

Fiche technique SUM80090E-GE3 PDF

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Feuilles de données
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Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
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Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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