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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleRHU002N06T106
RHU002N06T106 Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

RHU002N06T106 - Rohm Semiconductor

Fabricant Modèle de produit
RHU002N06T106
Fabricant
LAPIS Technology
Allelco Modèle de produit
32D-RHU002N06T106
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 60V 200MA UMT3
Description détaillée
Emballage
SC-70, SOT-323
Fiche technique
RHU002N06 Datasheet.pdf
État RoHS
En stock: 471650

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques RHU002N06T106
Rohm Semiconductor - RHU002N06T106 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Rohm Semiconductor - RHU002N06T106

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant LAPIS Technology  
Vgs (th) (Max) @ Id -  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur UMT3  
Séries -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.4Ohm @ 200mA, 10V  
Dissipation de puissance (max) 200mW (Ta)  
Package / Boîte SC-70, SOT-323  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 15 pF @ 10 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 4.4 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4V, 10V  
Tension drain-source (Vdss) 60 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 200mA (Ta)  
Numéro de produit de base RHU002  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Rohm Semiconductor RHU002N06T106

Attributs du produit RHU002N06T106 NTMS4801NR2G AUIRFS4127TRL 2N7002CK
Modèle de produit RHU002N06T106 NTMS4801NR2G AUIRFS4127TRL 2N7002CK
Fabricant Rohm Semiconductor onsemi Infineon Technologies Nexperia USA Inc.
Fonction FET - - - -
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 15 pF @ 10 V 2201 pF @ 25 V 5380 pF @ 50 V -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.4Ohm @ 200mA, 10V 9mOhm @ 12A, 10V 22mOhm @ 44A, 10V -
Séries - - Automotive, AEC-Q101, HEXFET® *
Dissipation de puissance (max) 200mW (Ta) 800mW (Ta) 375W (Tc) -
Package composant fournisseur UMT3 8-SOIC PG-TO263-3 -
Température de fonctionnement 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -
Numéro de produit de base RHU002 NTMS4801 AUIRFS4127 2N7002
Vgs (th) (Max) @ Id - 2.5V @ 250µA 5V @ 250µA -
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4V, 10V 4.5V, 10V 10V -
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Bulk
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 200mA (Ta) 7.5A (Ta) 72A (Tc) -
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) -
Package / Boîte SC-70, SOT-323 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB -
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel -
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 4.4 nC @ 10 V 25 nC @ 10 V 150 nC @ 10 V -
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V -
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount -
Tension drain-source (Vdss) 60 V 30 V 200 V -

Fiche technique RHU002N06T106 PDF

Téléchargez RHU002N06T106 PDF DataSheets et Documentation Rohm Semiconductor pour RHU002N06T106 - Rohm Semiconductor.

Feuilles de données
RHU002N06 Datasheet.pdf

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Amérique États-Unis 5
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Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
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Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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