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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleFDS4435BZ
Fairchild Semiconductor
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

FDS4435BZ - Fairchild Semiconductor

Fabricant Modèle de produit
FDS4435BZ
Fabricant
Fairchild (onsemi)
Allelco Modèle de produit
32D-FDS4435BZ
Modèle ECAD
Description des pièces
SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
Description détaillée
Emballage
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Fiche technique
FDS4435BZ.pdf
En stock: 4650

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques FDS4435BZ
Fairchild Semiconductor - FDS4435BZ Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Fairchild Semiconductor - FDS4435BZ

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Fairchild (onsemi)  
Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA  
Vgs (Max) ±25V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur 8-SOIC  
Séries PowerTrench®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 20mOhm @ 8.8A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 2.5W (Ta)  
Package / Boîte 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)  
Emballer Bulk  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1845 pF @ 15 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 40 nC @ 10 V  
type de FET P-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V  
Tension drain-source (Vdss) 30 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 8.8A (Ta)  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Fairchild Semiconductor FDS4435BZ

Attributs du produit FDS4435BZ FDS4435A FDS4465 FDS4435
Modèle de produit FDS4435BZ FDS4435A FDS4465 FDS4435
Fabricant Fairchild Semiconductor Fairchild Semiconductor Fairchild Semiconductor onsemi
Fonction FET - - - -
type de FET P-Channel P-Channel P-Channel P-Channel
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Dissipation de puissance (max) 2.5W (Ta) 2.5W (Ta) 2.5W (Ta) 2.5W (Ta)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 1.8V, 4.5V 4.5V, 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1845 pF @ 15 V 2010 pF @ 15 V 8237 pF @ 10 V 1604 pF @ 15 V
Emballer Bulk Bulk Bulk Tape & Reel (TR)
Vgs (Max) ±25V ±20V ±8V ±25V
Package / Boîte 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur 8-SOIC 8-SOIC 8-SOIC 8-SOIC
Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA 2V @ 250µA 1.5V @ 250µA 3V @ 250µA
Séries PowerTrench® PowerTrench® PowerTrench® PowerTrench®
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 40 nC @ 10 V 30 nC @ 5 V 120 nC @ 4.5 V 24 nC @ 5 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 20mOhm @ 8.8A, 10V 17mOhm @ 9A, 10V 8.5mOhm @ 13.5A, 4.5V 20mOhm @ 8.8A, 10V
Tension drain-source (Vdss) 30 V 30 V 20 V 30 V
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 8.8A (Ta) 9A (Ta) 13.5A (Ta) 8.8A (Ta)

Mode de transport

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
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Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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