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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleRCX450N20
RCX450N20 Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

RCX450N20 - Rohm Semiconductor

Fabricant Modèle de produit
RCX450N20
Fabricant
LAPIS Technology
Allelco Modèle de produit
32D-RCX450N20
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 200V 45A TO220FM
Description détaillée
Emballage
TO-220-3 Full Pack
Fiche technique
RCX450N20.pdf
État RoHS
En stock: 29800

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques RCX450N20
Rohm Semiconductor - RCX450N20 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Rohm Semiconductor - RCX450N20

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant LAPIS Technology  
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 1mA  
Vgs (Max) ±30V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TO-220FM  
Séries -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 55mOhm @ 22.5A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 2.23W (Ta), 40W (Tc)  
Package / Boîte TO-220-3 Full Pack  
Emballer Bulk  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement 150°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 4200 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 80 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 200 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 45A (Tc)  
Numéro de produit de base RCX450  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Rohm Semiconductor RCX450N20

Attributs du produit RCX450N20 IPU60R600C6 FDS5680 RCX300N20
Modèle de produit RCX450N20 IPU60R600C6 FDS5680 RCX300N20
Fabricant Rohm Semiconductor Infineon Technologies onsemi Rohm Semiconductor
Type de montage Through Hole Through Hole Surface Mount Through Hole
Fonction FET - - - -
Dissipation de puissance (max) 2.23W (Ta), 40W (Tc) 63W (Tc) 2.5W (Ta) 2.23W (Ta), 40W (Tc)
Tension drain-source (Vdss) 200 V 600 V 60 V 200 V
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur TO-220FM PG-TO251-3 8-SOIC TO-220FM
Séries - CoolMOS™ PowerTrench® -
Vgs (Max) ±30V ±20V ±20V ±30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 55mOhm @ 22.5A, 10V 600mOhm @ 2.4A, 10V 20mOhm @ 8A, 10V 80mOhm @ 15A, 10V
Numéro de produit de base RCX450 - FDS56 RCX300
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Emballer Bulk Bulk Tape & Reel (TR) Bulk
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 1mA 3.5V @ 200µA 4V @ 250µA 5V @ 1mA
Température de fonctionnement 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) 150°C (TJ)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 6V, 10V 10V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 80 nC @ 10 V 20.5 nC @ 10 V 42 nC @ 10 V 60 nC @ 10 V
Package / Boîte TO-220-3 Full Pack TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) TO-220-3 Full Pack
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 4200 pF @ 25 V 440 pF @ 100 V 1850 pF @ 15 V 3200 pF @ 25 V
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 45A (Tc) 7.3A (Tc) 8A (Ta) 30A (Tc)

Fiche technique RCX450N20 PDF

Téléchargez RCX450N20 PDF DataSheets et Documentation Rohm Semiconductor pour RCX450N20 - Rohm Semiconductor.

Autres documents connexes
Transistor, MOSFET Flammability.pdf
Informations environnementales
Transistor Whisker Info.pdf Transistor, MOSFET Level 1 MSL.pdf

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Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
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Asie Inde 4
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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