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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleRCX160N20
RCX160N20 Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

RCX160N20 - Rohm Semiconductor

Fabricant Modèle de produit
RCX160N20
Fabricant
LAPIS Technology
Allelco Modèle de produit
32D-RCX160N20
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 200V 16A TO220FM
Description détaillée
Emballage
TO-220-3 Full Pack
Fiche technique
RCX160N20.pdf
État RoHS
En stock: 70560

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques RCX160N20
Rohm Semiconductor - RCX160N20 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Rohm Semiconductor - RCX160N20

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant LAPIS Technology  
Vgs (th) (Max) @ Id 5.25V @ 1mA  
Vgs (Max) ±30V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TO-220FM  
Séries -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 180mOhm @ 8A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 2.23W (Ta), 40W (Tc)  
Package / Boîte TO-220-3 Full Pack  
Emballer Bulk  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement 150°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1370 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 26 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 200 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 16A (Tc)  
Numéro de produit de base RCX160  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Rohm Semiconductor RCX160N20

Attributs du produit RCX160N20 SPB02N60S5ATMA1 RCX081N20 SPB70N10L
Modèle de produit RCX160N20 SPB02N60S5ATMA1 RCX081N20 SPB70N10L
Fabricant Rohm Semiconductor Infineon Technologies Rohm Semiconductor Infineon Technologies
Type de montage Through Hole Surface Mount Through Hole Surface Mount
Séries - CoolMOS™ - SIPMOS®
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 26 nC @ 10 V 9.5 nC @ 10 V 8.5 nC @ 10 V 240 nC @ 10 V
Numéro de produit de base RCX160 SPB02N RCX081 SPB70N
Package composant fournisseur TO-220FM PG-TO263-3-2 TO-220FM PG-TO263-3-2
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 16A (Tc) 1.8A (Tc) 8A (Tc) 70A (Tc)
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 180mOhm @ 8A, 10V 3Ohm @ 1.1A, 10V 770mOhm @ 4A, 10V 16mOhm @ 50A, 10V
Package / Boîte TO-220-3 Full Pack TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-220-3 Full Pack TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1370 pF @ 25 V 240 pF @ 25 V 330 pF @ 25 V 4540 pF @ 25 V
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V 4.5V, 10V
Fonction FET - - - -
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (Vdss) 200 V 600 V 200 V 100 V
Emballer Bulk Tape & Reel (TR) Bulk Tape & Reel (TR)
Vgs (Max) ±30V ±20V ±30V ±20V
Dissipation de puissance (max) 2.23W (Ta), 40W (Tc) 25W (Tc) 2.23W (Ta), 40W (Tc) 250W (Tc)
Vgs (th) (Max) @ Id 5.25V @ 1mA 5.5V @ 80µA 5.25V @ 1mA 2V @ 2mA
Température de fonctionnement 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)

Fiche technique RCX160N20 PDF

Téléchargez RCX160N20 PDF DataSheets et Documentation Rohm Semiconductor pour RCX160N20 - Rohm Semiconductor.

Autres documents connexes
Transistor, MOSFET Flammability.pdf
Informations environnementales
Transistor Whisker Info.pdf Transistor, MOSFET Level 1 MSL.pdf

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Amérique États-Unis 5
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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