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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleIXFN90N85X
IXYS
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

IXFN90N85X - IXYS

Fabricant Modèle de produit
IXFN90N85X
Fabricant
IXYS Corporation
Allelco Modèle de produit
32D-IXFN90N85X
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 850V 90A SOT227B
Description détaillée
Emballage
SOT-227-4, miniBLOC
Fiche technique
IXFN90N85X.pdf
État RoHS
En stock: 855

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques IXFN90N85X
IXYS - IXFN90N85X Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à IXYS - IXFN90N85X

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant IXYS Corporation  
Vgs (th) (Max) @ Id 5.5V @ 8mA  
Vgs (Max) ±30V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur SOT-227B  
Séries HiPerFET™, Ultra X  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 41mOhm @ 500mA, 10V  
Dissipation de puissance (max) 1200W (Tc)  
Package / Boîte SOT-227-4, miniBLOC  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Chassis Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 13300 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 340 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 850 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 90A (Tc)  
Numéro de produit de base IXFN90  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de IXYS IXFN90N85X

Attributs du produit IXFN90N85X IXFN82N60Q3 IXFP12N65X2M IXFN80N50Q2
Modèle de produit IXFN90N85X IXFN82N60Q3 IXFP12N65X2M IXFN80N50Q2
Fabricant IXYS IXYS IXYS IXYS
Type de montage Chassis Mount Chassis Mount Through Hole Chassis Mount
Emballer Tube Tube Tube Tube
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Numéro de produit de base IXFN90 IXFN82 IXFP12 IXFN80
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Fonction FET - - - -
Package composant fournisseur SOT-227B SOT-227B TO-220 Isolated Tab SOT-227B
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 340 nC @ 10 V 275 nC @ 10 V 18.5 nC @ 10 V 250 nC @ 10 V
Package / Boîte SOT-227-4, miniBLOC SOT-227-4, miniBLOC TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab SOT-227-4, miniBLOC
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Vgs (th) (Max) @ Id 5.5V @ 8mA 6.5V @ 8mA 5V @ 250µA 4.5V @ 8mA
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 90A (Tc) 66A (Tc) 12A (Tc) 72A (Tc)
Vgs (Max) ±30V ±30V ±30V ±30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 41mOhm @ 500mA, 10V 75mOhm @ 41A, 10V 310mOhm @ 6A, 10V 60mOhm @ 500mA, 10V
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V 10V
Dissipation de puissance (max) 1200W (Tc) 960W (Tc) 40W (Tc) 890W (Tc)
Séries HiPerFET™, Ultra X HiPerFET™, Q3 Class HiPerFET™, Ultra X2 HiPerFET™, Q2 Class
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 13300 pF @ 25 V 13500 pF @ 25 V 1134 pF @ 25 V 12800 pF @ 25 V
Tension drain-source (Vdss) 850 V 600 V 650 V 500 V

Fiche technique IXFN90N85X PDF

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Feuilles de données
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Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
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Italie 5
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Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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